| 研究課題/領域番号 |
05555088
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| 研究種目 |
試験研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 神戸大学 |
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研究代表者 |
西野 種夫 神戸大学, 工学部, 教授 (60029452)
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| 研究分担者 |
住江 伸吾 (株)神戸製鋼所, 電子技術研究所, 主任研究員
喜多 隆 神戸大学, 工学部, 助手 (10221186)
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| 研究期間 (年度) |
1993 – 1994
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| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
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| 配分額 *注記 |
9,600千円 (直接経費: 9,600千円)
1994年度: 3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
1993年度: 6,300千円 (直接経費: 6,300千円)
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| キーワード | 変調光反射分光 / フォトリフレクタンス / 半導体表面 / 局在電子状態 / 変調分光法 / 原子層エピタキシー / 表面電子状態 |
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| 研究概要 |
変調光反射測定による半導体表面やエピタキシャル膜中に局在した電子状態のその場観察法に関する本科学研究費補助金による研究によって得られた主な研究成果の概要について述べる。
(1)変調反射分光法のスペクトルの詳細を解析する手法を確立するため、固体の誘電関数の変調理論からスタートし、光や、電子線による半導体表面近傍の電子状態に対する電界変調を受けた誘電関数の特性を理論的に明らかにした。(2)本研究では新しく半導体表面あるいはエピタキシャル膜中の局在電子状態の変調微分反射スペクトル測定によるその場観測システムを開発し、このシステムを実用化するために必要となる基礎特性を明らかにした。特に表面局在電子状態をとらえるためのプローブ光入射角の問題、あるいは半導体表面に吸着した原子による変調反射信号の変化について基本的な特性を得ることが出来た。また、半導体表面に原子層で局在した電子状態がつくりだす表面フェルミレベルを変調反射測定により検出することに成功した。(3)電子線を変調励起源に用いた新しいタイプのその場観察法を提案し、独自のシステムを開発した。電子線による変調では電子の電流密度や、加速電圧などの電子の供給コンディションを制御することで変調機構を制御した様々な特性を得ることが出来ることがわかった。将来的にもRHEEDなどの既存の電子線源を利用したシステムの開発・実用化の可能性を確認した。
以上、本研究によって変調光反射測定による半導体表面やエピタキシャル膜中に局在した電子状態の観察法に関する基本的なデータの大部分は得られた。また、新しいタイプの電子線を用いたの変調光反射システムを提案し、その特性から実用化のめどがついた。
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