| 研究課題/領域番号 |
05650004
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 山形大学 |
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研究代表者 |
大嶋 重利 山形大学, 工学部, 教授 (40124557)
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| 研究期間 (年度) |
1993 – 1994
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| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
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| 配分額 *注記 |
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
1994年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
1993年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | ヘテロ構造LB膜 / 電流スイッチング現象 / LB膜の累積比 / 表面平滑性 / C15TCNQ / LB膜 / ヘテロ構造 / 電流スイッチング機構 |
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| 研究概要 |
ラングミュア・ブロジェット法(LB法)を用いて、アラキン酸カドミウムとC15TCNQのヘテロ構造LB膜を作製し、次のような成果を得た。
(1)LB膜の累積比、X線構造解析の結果より、アラキン酸カドミウムLB膜はY型構造(2分子が向かい合った構造)であることが明らかとなった。
(2)TCNQLB膜は、基板の種類(疎水性or親水性)により、累積比がY型とZ型(すべての分子の親水基が基板側に向いた構造)の2種類をとることが明らかとなった。しかし、X線解析の結果では両者の薄膜ともX,Yの混相であることが示された。
(3)LB膜の均質性、表面平滑性を原子間力顕微鏡により検討した。その結果、分子レベルでの平滑性が確認された。
(4)アラキン酸カドミウムとC15TCNQのヘテロ構造LB膜を作製し、その電気特性を測定した。ヘテロ構造LB膜は腹面内及び腹に垂直な方向において、ほぼ絶縁体的性質を有することが示された。
(5)ヘテロ構造LB膜において、電流スイッチング現象を見出した。その現象とは、電気抵抗を測定する時にある電圧以上の電圧を印加すると、急激に抵抗が小さくなることである。
(6)電流スイッチング現象解明の為に、次の様な実験を行い、スイッチング現象の機構を評価した。
(イ)単独のアラキン酸LB膜では、電流スイッチング現象が見られない。
(ロ)単独のC15TCNQLB膜では、電流スイッチング現象が見られない。
(ハ)カドミウムを含んだC15TCNQLB膜では、電流スイッチング現象が見られた。
以上の結果より、ヘテロ構造LB膜の電流スイッチング機構は、カドミウムイオンとTCNQ間の電荷移動による相転移であると判明した。
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