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アモルファス半導体の電子-ボンド相互作用のボンド選択励起法による研究

研究課題

研究課題/領域番号 05650008
研究種目

一般研究(C)

配分区分補助金
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関長岡技術科学大学

研究代表者

打木 久雄  長岡技術科学大学, 工学部, 助教授 (50142237)

研究期間 (年度) 1993
研究課題ステータス 完了 (1993年度)
配分額 *注記
1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
1993年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
キーワードアモルファス半導体 / 電子-ボンド相互作用
研究概要

1.現有の連続モード同期Nd:YAGレーザーの共振器内にQスイッチ素子(NEOS社製)を取り付け、モード同期とQスイッチの併用動作をさせて、パルス幅100ピコ秒、パルス間隔12ナノ秒の約30本のパルス列(最大パルスエネルギー30μJ、パルス列の繰り返し1kHz)を発生させた。このパルス列をKTP結晶に入れ第2高調波光(532nm)を発生させた。
2.θ=43°、φ=0°でカットした5x3x10mm^3のKTP結晶と4枚のミラーを用いた単一共振型パラメトリック発振器を組み立てた。当初AgGaS_2結晶を使用する計画であったが、メーカーの生産休止のため、発振波長は約4μm程度と短くなるがパラメトリック発振の報告例もあるKTP結晶を用いることにした。共振器の調整にはHe-Neレーザーを用いた。
3.このパラメトリック発振器のKTP結晶に1で得た532nm光を円筒面凸レンズで集光し、発振を試みた。しかし、発振に到る前に結晶に損傷が生じた。用いた結晶の品質に問題があったようである。現在、第二の結晶を用意しているところである。早急に発振を行い、得られた赤外光をアモルファスC:H膜に照射し、当初の計画を実行する予定である。
4.空気中紫外光照射によるアモルファスC:H膜の膜厚減少効率の照射紫外光波長依存性を測定し、低エネルギーしきい値が約3.1eVであることが分かった。光生成された電子正孔対のエネルギー移動による結合解離の可能性が高い。

報告書

(1件)
  • 1993 実績報告書
  • 研究成果

    (1件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (1件)

  • [文献書誌] 野田吉男: "アモルファス水素化炭素(a-C:H)膜の光誘起効果" 平成5年度電子情報通信学会信越支部大会講演論文集. 267-268 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書

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公開日: 1993-04-01   更新日: 2016-04-21  

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