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ショットキー障壁形成機構解明のための電気化学的アプローチ

研究課題

研究課題/領域番号 05650030
研究種目

一般研究(C)

配分区分補助金
研究分野 表面界面物性
研究機関東京都立大学

研究代表者

奥村 次徳  東京都立大学, 工学部, 教授 (00117699)

研究分担者 志村 美知子  東京都立大学, 工学部, 助教授 (60087294)
研究期間 (年度) 1993
研究課題ステータス 完了 (1993年度)
配分額 *注記
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1993年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
キーワード化合物半導体 / 砒化ガリウム / ショットキー接触 / 電気化学プロセス / めっき / 光電気化学エッチング
研究概要

電解めっき法を用いて、砒化ガリウム(GaAs)基板上に金属膜を堆積することを試み、以下のことを明らかにした。
(1)通常のめっき液中で、バイアス電圧と光照射の条件を選ぶことによって、GaAs表面の自然酸化膜を除去することができる(光電気化学エッチング)。この条件は、ブルタモグラムの測定から求められる。
(2)上記方法により得られたGaAs表面は、数nm程度の平坦性をもつ。
(3)GaAs基板を光電気化学エッチングした後、連続してめっきを行うことによって、ほぼ理想特性を示すGaAsショットキー接触の形成が可能である。
このプロセスをニッケル、金、錫、および鉛に適用し、GaAsに対するショットキー障壁高さ(phi_<Bn>)の仕事関数(phi_M)依存性を求めた。いわゆる界面定数(S=〓phi_<Bn>/〓phi_M)の値は0.1となり、障壁形成機構としてMIGSモデルを支持する結果が得られた。

報告書

(1件)
  • 1993 実績報告書
  • 研究成果

    (3件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (3件)

  • [文献書誌] T.Okumura,S.Yamamoto,M.Shimura: "GaAs Schottky Diodes with Ideality Factor of Unity Fabricated by In Situ Photoelectrochemical Process" Jpn.J.Appl.Phys.32. 2626-2631 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] M.Shimura,T.Okumura,S.Yamamoto: "In Situ Surface Treatment of GaAs(100)Wafer in Metal Salt Electrolytes for Fabrication of Schottky Contact" J.Electrochem.Soc.140. 3181-3185 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] C.Kaneshiro,M.Shimura,T.Okumura: "Electrical Abruptness of Ni/GaAs Interfaces Fabricated by In Situ Photoelectrochemical Process" 1st Internat′l Symp.Control of Semiconductor Interfaces Karuizawa. A3-3 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書

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公開日: 1993-04-01   更新日: 2016-04-21  

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