| 研究課題/領域番号 |
05650033
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
表面界面物性
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| 研究機関 | 岡崎国立共同研究機構 |
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研究代表者 |
宇理須 恒雄 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 教授 (50249950)
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| 研究分担者 |
間瀬 一彦 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (40241244)
正畠 宏祐 名古屋大学, 工学部, 教授 (60132726)
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| 研究期間 (年度) |
1993
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| 研究課題ステータス |
完了 (1993年度)
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| 配分額 *注記 |
1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
1993年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
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| キーワード | エピタキシャル / 赤外反射吸収スペクトル / 光化学反応 / エッチング / 放射光 |
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| 研究概要 |
エッチング容器、エピタキシャル容器、試料交換容器、試料導入容器からなる放射光反応チャンバーを製作した。反応容器の真空立ち上げ(ベース真空度5×10^<-9>Torr)真空下での試料搬送テスト、試料加熱テスト(1200C以上達成)、RHEEDの動作テストを終了した。現在進めているガス配管を完了すれば光反応の実験をスタートできる。
この装置製作と平行して、別途既設の反応装置を利用して放射光照射による光反応の実験を進めた。反応ガスとしてトリメチルアルミニウム、ジメチルアルミニウム、メチルエチルアミンアランの三種類の有機アルミニウム化合物を用い、SiO_2などの基板を113Kから180Kの低温に冷却し表面に吸着させ、放射光照射前後の反射赤外吸収スペクトルを測定した。このような絶縁物基板表面のモノレーヤオーダの吸着層の反射吸収スペクトルの測定は感度が低いためこれまでなされていない。本研究では埋め込み金属層の構成の基板、即ち、Al薄膜(約200nmの厚さ)の上にSiO_2膜(約15nmの厚さ)を推積した物を基板として利用することにより、サブモノレーヤに感度のある反射赤外吸収スクトルを測定することが出来た。また、上記のAl化合物はCVDによる半導体素子のアルミニウム配線に用いられるもので、表面吸着層の構造や化学反応特性などの基礎データが必要とされている。
本研究により、これらの低温吸着層においては、多くの化合物が二量体の形を取っていること、また、これらが放射光の照射により二量体として蒸発することが解った。
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