| 研究概要 |
水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)薄膜の微結晶化温度を,膜の水素放出特性から高精度に測定することを本研究の目的とし,水素放出特性測定装置の改善,微結晶化温度の最適測定条件の検討,および,微結晶化にともなう膜構造変化の検討を行った。以下1.〜3.に研究成果を示す。
1.水素放出特性測定装置の改善
測定装置の真空排気ポンプを,油拡散ポンプからターボ分子ポンプへ付け替え,排気系のクリーン化を行った。さらに,コンピュータを用いたデータ処理システムを開発し,データ処理の迅速化を行うと共に,得られたデータの波形解析を可能とした。
2.微結晶化温度の最適測定条件の検討
水素放出特性を測定する際の真空度,加熱速度,分析計の感度と質量数,および,試料の大きさ等について,それぞれ最適条件を見出した。
3.膜の微結晶化にともなう構造変化
膜の微結晶化過程を水素放出特性,X線回析および電気的特性を用いて比較検討を行った。その結果,膜の微結晶化過程は結晶成長の活性化エネルギーに関係し,膜中の微結晶幼核やボイド等の微細構造を強く反映することがわかった。また,上記の1.および2.により,a-Si:H膜の微結晶化温度の測定精度が向上したことが判った。
以上より,本研究の目的は,ほぼ達成されたものと思われる。本研究の測定法は,単にa-Si:H膜の微結晶化温度を高精度で測定するだけではなく,新たな膜評価法として有効なものである。
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