| 研究課題/領域番号 |
05650626
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 西東京科学大学 |
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研究代表者 |
堂山 昌男 西東京科学大学, 理工学部, 教授 (40010748)
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| 研究分担者 |
上殿 明良 筑波大学, 物質工学系, 講師 (20213374)
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| 研究期間 (年度) |
1993
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| 研究課題ステータス |
完了 (1993年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1993年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | 陽電子 / 半導体 / 結晶欠陥 |
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| 研究概要 |
金属中に打込まれた陽電子の状態は金属試料中の原子空孔、点欠陥などイオン密度の低い格子欠陥に非常に敏感である。半導体などの加工が微細化されるにつれ、結晶の欠陥の制御が重要になってきている。半導体中の結晶欠陥はその荷電状態がフェルミ準位によって異なるので、複雑である。すなわち、温度とともにフェルミ準位が変化し、それによって、結晶欠陥の荷電状態も変化する。陽電子は結晶欠陥の荷電状態にも敏感に反応するので、結晶にトラップされた陽電子の寿命、消滅時に放出されるガンマー線のドップラーの広がりを測定することにより測定することが出来る。
京大原子炉実験書でn型およびp型シリコンを30MeVの電子線で液体窒素温度で照射し、原子空孔をつくり、不純物と原子空孔との相互作用を試料温度を上げながら陽電子寿命、ドップラー広がりを測定して、解析した。液体窒素温度から試料温度を上げないよう新しいクライオスタットを作製した。
これまでの実験および解析では定量的に解析が行なわれていなかった。本論文ではこれを解析的に行なった結果、世界で行なわれていた解析は間違っていることがわかった。これらは平成5年8月末から9月にかけて行なわれたInternational Union of Materials Research Soceitiesの国際会議において発表された。
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