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超薄膜における磁場増強超伝導

研究課題

研究課題/領域番号 05740244
研究種目

奨励研究(A)

配分区分補助金
研究分野 固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
研究機関近畿大学

研究代表者

瀬口 泰弘  近畿大学, 理工学部, 講師 (70171345)

研究期間 (年度) 1993
研究課題ステータス 完了 (1993年度)
配分額 *注記
800千円 (直接経費: 800千円)
1993年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
キーワード超伝導 / 臨界温度 / 臨界磁場 / 薄膜 / 金 / 銅 / ゲルマニウム
研究概要

1.Au-Ge薄膜
AuとGeの原子濃度がほぼ等しいAu-Ge合金膜(膜厚2-7nm)を作製し、超伝導臨界磁場の温度依存性を測定した結果、膜厚の減少とともに、GL理論から予想される温度依存性からはずれ、Gu/Au/Ge積層膜でみられたような平行磁場印加による臨界温度の増大が観測された。平行臨界磁場の温度依存性が、Kogan-Nakagawaによる理論を改良した対数項を含む式でうまく表されることを見いだした。この対数項は、スピン軌道散乱の大きい2次元超伝導体における電子局在の効果に起因するものと考えられる。
2.Cu-Ge薄膜
Au-Ge以外の系での磁場増強超伝導の探索の試みとして、Cu-Ge系薄膜を作製し、その超伝導特性を調べた。Cu-Ge合金膜ではAu-Ge系に比べて臨界温度が低く、約60at%Cuの組成で最大(〜0.7K)となり、5nmより薄い試料では0.5K以下に低下した。この系での磁場増強超伝導の探索のためには、さらに、希釈冷凍機の温度域での実験が必要である。
3.キャラクタリゼーション
抵抗および電子回折の測定結果から、Au/Ge薄膜における超伝導はAu-Ge合金層の存在によるものと推測される。また、X線光電子分光によるAu/Ge系薄膜の深さ方向プロファイルには、AuとGeの積層順序の違いにより、界面付近の濃度分布に大きな相違がみられて興味深く、今後、現有のオージェ電子分光・高速電子回折装置によるその場分析も行って、非晶質Ge上に形成される極めて薄い金属層のキャラクタリゼーションを進めていく予定である。

報告書

(1件)
  • 1993 実績報告書
  • 研究成果

    (2件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (2件)

  • [文献書誌] Y.Seguchi: "Magnetic-Field-Enhanced Superconductivity in Alloy Films of Au-Ge" Journal of the Physical Society of Japan. 62. 2564-2567 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Seguchi: "Localization and Magnetic-Field-Enhanced Superconductivity in Thin Films of Au-Ge" to be published in Physica B.

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書

URL: 

公開日: 1993-04-01   更新日: 2020-05-15  

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