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有機金属気相成長(OMVPE)に対するV族原料として、毒性が高いAsH_3、PH_3に代わる、毒性の低くいアルキルV族原料を用いた場合の成長表面でのV族の脱離置換反応は殆ど明らかにされていない。本研究では、V族原料としてタ-シャリブリルホスフィン(TBP)を用い、表面状態に非常に敏感な表面光吸収法(SPA)を用いて、V族原料の基板表面での分解過程について検討を行うことを目的とし、以下のような研究を行った。
1.成長中にその場で表面光吸収測定を行うため、現有の有機金属気相成長装置の反応菅部並びにガス供給系を改良した。
2.表面光吸収測定系を構築し、GaP基板のSPAスペクトを測定した。この時、本年度科学研究費補助金により購入した、小型分光器並びに波長駆動装置を用いた。
3.TBPを用いたGaP成長においては、充分燐圧を加えていても、成長中断時間が大きくなると表面から燐が脱離し、表面が荒れる現象が観測された。
現在、TBPを用いたGaP成長表面におけるSPAスペクトルの解析を行っているところであり、今後、SPAを用いた表面状態の詳細な測定を行い、基板表面清浄化し、成長中断中、および成長の表面反応を解明し、これを利用した成長技術の開発を行っていく。
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