| 研究概要 |
本研究は不斉触媒反応への応用を目指し、シクロペンタジエニル誘導体(Cp)とホスフィノ基(P)がキレートされた配位子(Cp-P配位子)を設計し、その遷移金属錯体の合成を目的とした。今回まず、アキラルな炭素鎖でキレートされたCp-P配位子(1)と、光学活性Cp-P配位子(2)の一般的な合成法を確立した。これらのCp-P配位子のリチウム塩[Rh(CO)_2Cl]_2を反応させCp-P配位子を有する単核のロジウム錯体(3)を合成した。シクロペンタジエニル誘導体としてインデニル基を有するCp-P配位子(2b)を用いると、光学活性ロジウム錯体(4a)が黄色結晶性粉末として高収率で得られた。しかし、この錯体はインデン環の配向の違いによるジアステレオマ-の混合物で、現在その分離には成功していない。シクロペンタジエニル基を有するCp-P配位子(1a,2a)を用いると、生成するロジウム錯体は不安定なため収率よく単離することはできなかった。また、これらのロジウム錯体に光を照射すると、配位していた一酸化炭素が解離することを確認した。これを利用すると不斉触媒反応の開発が可能である。RuCl_2(PPh_3)_3を用いると同様の方法により単核のルテニウム錯体(5)を合成することができた。ルテニウムの場合は、どのCp-P配位子(1、2)を用いてもルテニウム錯体を単離することができた。
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