| 研究概要 |
本研究では,完全スピン偏極強磁性体薄膜及の特性評価を行い,その薄膜を用いてスピン依存磁気輸送現象を示す素子構造を開発することを最終目標とした.着任後1年間は,その目標に向けて,薄膜作製と磁気輸送現象測定を行った.平成18年度は,更にその研究をIV族半導体ベースの材料に展開し,当該分野の先駆けとなる成果を得られつつある.具体的には,シリコンカーバイド(SiC)に磁性元素であるMnを導入した物質を合成し,その磁気特性の評価を行った.本成果は,The 10th Joint MMM/Intermag Conference(2007/1/7-11,Baltimore, Maryland, USA)において発表し,SiC基板上にMn薄膜を形成することによってその界面に生成される強磁性体の同定と特性評価を行った成果は,The International Materials Week(2006/6/24-30,Beijing, China), The 13th International Conference on X-ray Absorption Fine Structure(2006/7/9-14,Stanford, CA USA),The International Conference on Magnetism(2006/10/20-25,Kyoto, Japan),及び,The 3rd Asian Forum on Magnetics(2006/9/11-14,Matsue, Japan)で発表した.またSiC基板上に良質なエピタキシャルMn薄膜を成長できることを明らかにした.本成果は,The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(2006/9/3-8,Tokyo)において発表した.
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