| 研究課題/領域番号 |
06216220
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| 研究種目 |
重点領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
前田 京剛 東京大学, 教養学部, 助教授 (70183605)
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| 研究分担者 |
花栗 哲郎 東京大学, 教養学部, 助手 (40251326)
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| 研究期間 (年度) |
1994
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| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
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| 配分額 *注記 |
3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
1994年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
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| キーワード | 磁場侵入長 / 対破壊効果 / 異方的超伝導 / 磁場依存性 / 表面インピーダンス / 磁束vortex / 準粒子 / 緩和時間 |
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| 研究概要 |
(1)弱磁場(Hc1以下)領域での磁場侵入長の磁場依存性の研究
表面リアクタンス(磁場侵入長)の磁場依存性をY系及びBi系単結晶、さらに比較のために従来超伝導体V3Siについて測定した。高温超伝導体では広い温度領域で磁場侵入長は磁場に対してリニアに変化し、従来超伝導体V3Siでは期待通り磁場の2乗にで変化した。さらに結果の定量的解析にも成功し、異方的超伝導状態が高温超伝導体で実現していることを確立した。同時に、この測定方法の有用性を確立した。
(3)強磁場(混合状態)での表面リアクタンスの研究
マイクロ波領域での表面抵抗を混合状態で高感度に測定する装置を作成した。これを用いてBi-2212系単結晶で表面抵抗の磁場依存性を測定したところ、異常なピークを再現した。現在他の物質でも同様の測定を行なっている。
これらの成果の幾つかは学術論文として公表した。さらに研究を継続するに値する重要な問題である。
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