| 研究課題/領域番号 |
06228219
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| 研究種目 |
重点領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
松波 弘之 京都大学, 工学部, 教授 (50026035)
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| 研究分担者 |
木本 恒暢 京都大学, 工学部, 助手 (80225078)
冬木 隆 京都大学, 工学部, 助教授 (10165459)
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| 研究期間 (年度) |
1994
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| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1994年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | メゾスコピック構造 / ラジカル / 分子線エピタキシ- / シリコンカーバイド / 表面超構造 |
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| 研究概要 |
本研究では、メゾスコピック構造を形成するために、半導体表面超構造の制御に有用な役割を果たすフリーラジカルの作製法を確立し、結晶成長過程を原子レベルで制御することを目指した。具体的には、立方晶シリコンカーバイドの結晶成長に着目し、1]フリーラジカル作製とその制御、2]表面超構造変化の動的解析、3]成長素過程の解明、の各研究課題を遂行した。本年度の成果は次の通りである。
1.ガスソース分子線成長装置において、原料ガスを熱分解することによりフリーラジカルを生成した。しきい値イオン化質量分析法で定量的に解析すると同時に、その量を広い範囲で制御できることを明らかにした。
2.Si表面の極薄SiC層形成過程(炭化過程)において、その膜厚とラジカル量が比例関係にあることを示した。表面状態は、ラジカル量、形成時間に依存することを明らかにし、平坦な表面が得られる条件を確立した。
3.得られた鏡面SiC層上への単結晶SiCのヘテロエピタキシャル成長において、原料流量の最適化により原子層レベルで平坦な成長層が得られた。成長中の表面超構造と結晶成長過程との関連について検討し、二次元成長が支配的であることを明らかにするとともに、原子層レベルでの成長制御の可能性を示した。
以上の成果により所期の目的は達成できた。得られた成長層の結晶性の詳細な評価や、異なったラジカル種の適用が、今後、必要であると考えられる。
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