| 研究概要 |
本研究の目的は,シランプラズマを用いてSi微粒子を作製する際に生じる凝集過程を明らかにすることである.このために変調高周波放電法を用いてサイズを制御してSi微粒子を作製し,微粒子の成長過程を,レーザ散乱法(LLS),走査型電子顕微鏡(SEM)などを用いて調べた.その結果,微粒子は核発生,急速成長,成長飽和期の3つの過程を経て成長すること,放電周波数が6.5MHzの場合には,急速成長期以降には,2種類のサイズグループの微粒子が同時に存在していること,急速成長は微粒子の凝集反応によって生じていることが明らかになった.この急速成長期における凝集速度は通常の熱運動による凝集では説明できない程速く,帯電凝集が起こっていることが示唆された.一方、放電周波数28MHzでは、1つのサイズグループの微粒子のみが存在し、放電初期の微粒子密度は10^<11>cm^<-3>以上と極めて高いこと、高密度にもかかわらずその後の凝集速度は遅いことが分った。
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