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電界刺激エキソ電子放射(FSEE)の研究

研究課題

研究課題/領域番号 06236217
研究種目

重点領域研究

配分区分補助金
研究機関大阪大学

研究代表者

梅野 正隆  大阪大学, 工学部, 教授 (50029071)

研究分担者 田川 雅人  大阪大学, 工学部, 助手 (10216806)
大前 伸夫  大阪大学, 工学部, 助教授 (60029345)
研究期間 (年度) 1994
研究課題ステータス 完了 (1994年度)
配分額 *注記
2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
1994年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
キーワードエキソ電子放射 / タングステンチップ / トンネル効果 / 仕事関数 / 電子放射像 / 画像処理
研究概要

FSEE像と吸着ガスの関係を調べるため、主にWについてFSEEの精密な測定を行った。その結果WのFSEEもAlと同様トラップ準位からのトンネル効果によること、エキソトラップの形成にはガスの物理吸着が主に寄与すること、さらにエキソトラップの密度はWの表面原子密度と同程度であることが結論され、今後STM-STSにおける影響についての検討が必要となる。WではAlに較べ3桁以上強いFSEEが観測されるが、同時に3倍以上強いFEが重畳するので、エミッション像から画像処理により両者を分離してFSEE像を得た。FSEE像の解析からは、FSEEもFEと同様に{111}近くの仕事関数の低い面で生じることが認められた。さらにFIM像との対比から、粒界等の格子欠陥の位置で強いエキソエミッションが生じることが分かり、欠陥起因のエキソ放射機構を直接確めることができた。FIMにより清浄表面を確認した後、N_2およびO_2吸着によるFSEE像とFE像の変化を調べたところ、ガス吸着により仕事関数の増加する結晶面からの放射は両者とも減少することが分かった。このことは2過程モデルにおいて、励起確率とトンネル透過係数の何れもが仕事関数の増加と共に減少することから説明された。

報告書

(1件)
  • 1994 実績報告書
  • 研究成果

    (5件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (5件)

  • [文献書誌] M.Tagawa: "Aomic Oxygen Generators For Surface Studies in Low Earth Orbit" AIAA journal. 32. 95-100 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] J.Suwa: "Field Ion Microscopic Observation of Reconstructed Structures of Si Surface and Si/SiO_2 Interfaces." Proc.7th Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism. Atagawa. 227-232 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] M.Mori: "Temperature Dependence of the Field Stimulated Exoelectron Emission" Appl.Surf.Sci.76/77. 21-25 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] I.Takahashi: "Structure of Silicon Oxide on Si(001) Grown at Low Temperature" Surf.Sci.315. L1021-L1024 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] M.Umeno: "Formation of Si-SiO_2 Interface Structure and its Direct Observations" J.Japan.Assoc.Crystal Growth. 21. S241-S248 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書

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公開日: 1994-04-01   更新日: 2016-04-21  

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