| 研究課題/領域番号 |
06238102
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| 研究種目 |
重点領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
小宮山 進 東京大学, 大学院・総合文化研究科, 教授 (00153677)
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| 研究分担者 |
落合 勇一 千葉大学, 工学部, 助教授 (60111366)
平川 一彦 東京大学, 生産技術研究所, 助教授 (10183097)
家 泰弘 東京大学, 物性研究所, 教授 (30125984)
浜口 智尋 大阪大学, 工学部, 教授 (40029004)
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
148,100千円 (直接経費: 148,100千円)
1996年度: 22,500千円 (直接経費: 22,500千円)
1995年度: 61,700千円 (直接経費: 61,700千円)
1994年度: 63,900千円 (直接経費: 63,900千円)
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| キーワード | 端状態 / 量子ホール効果 / 位相干渉性 / 磁気フォノン共鳴 / 分数量子ホール効果 / 遠赤外光応答 / 低温磁気抵抗 / 量子細線 / 位相干渉長 / エネルギー緩和長 / 超格子構造 / Stark-ladder / ベクトルポテンシャル変調 / シークエンシャル共鳴トンネル / 準バリスティック伝導 |
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| 研究概要 |
量子ホール効果状態の2次元電子系に生ずる端状態の位相干渉性を、端状態で結ばれた二つの空間的に隔たった領域のアンダーソン局在を調べることにより探究し、端状態の位相干渉性が200ミクロンを遙かに越えた巨視的距離に及ぶ事を明らかにした。(小宮山)従来研究の進んでいなかったInAa系の単一量子井戸構造及び量子細線にて磁気フォノン共鳴の観測を行い、擬一次元閉じこめされた電子系と光学フォノンとの相互作用について検討した。(浜口)本研究により作製した高移動度GaAs/AlGaAsヘテロ構造を元に量子ポイントコンタクト試料を作製し、分数量子ホール効果状態における端状態を、共鳴ピーク幅の温度依存性および非共鳴域での透過率の温度依存性を通して調べた。(家)スプリットゲート型GaAs/AlGaAs量子細線中の電子状態を遠赤外光応答を通して調べた。また、結合量子井戸構造中の電子準位の交差に伴う電子状態の変化を、遠赤外光領域のサイクロトロン共鳴の観測を通して調べた。(平川)単純スプリットゲート型量子細線、片側のみに意図的に散乱体を配した片側コルゲーションゲート型量子細線、両側に散乱体を配した両側コルゲーションゲート型量子細線の低温磁気抵抗測定により、量子細線中の電子波の干渉性や散乱機構に対する側壁の影響を明らかにした。(落合)
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