| 研究課題/領域番号 |
06402022
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
末光 眞希 (1996) 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (00134057)
宮本 信雄 (1994-1995) 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (00006222)
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| 研究分担者 |
遠田 義晴 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (20232986)
庭野 道夫 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (20134075)
末光 眞希 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (00134057)
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
38,200千円 (直接経費: 38,200千円)
1996年度: 2,600千円 (直接経費: 2,600千円)
1995年度: 4,700千円 (直接経費: 4,700千円)
1994年度: 30,900千円 (直接経費: 30,900千円)
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| キーワード | 光励起プロセス / 半導体結晶成長 / 紫外光電子分光 / 水素脱離反応 / その場観察 / 気相成長 / 光電子強度振動 / Si(100) / Si (100) / 光電子分光 |
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| 研究概要 |
1.Si(100)上Siエピタキシャル成長中に表面準位の光電子強度が振動することを見出し、その起源は2つの表面再配列の交互の入れ代わりによるものであり、振動を引き起こすそれら表面の光電子強度差は表面準位の角度分散異方性に由来することを明らかにした。
2.Si_2H_6を用いたSi気相成長凍結表面では水素の脱離反応次数が1であるのに対し、SiH_4成長凍結表面では1よりも大きいことを昇温脱離測定により見出し、その原因について明らかにした。
3.Si熱酸化において、650℃を境とし低温側ではラングミュア型成長様式、高温側では2次元島成長様式で酸化膜が形成することをリアルタイム光電子分光測定により見出した。
4.よく知られているPドープによるSi膜成長速度の減少はその原因の一つは表面Pの存在による水素脱離速度の減少にあることを昇温脱離測定により見出した。
5.Si(100)上のSiH_4の解離吸着は600℃以上では4サイト、600℃以下では2サイトを必要としてSiH_4が表面に解離吸着する事を昇温脱離測定により見出した。この吸着素過程の温度依存性は準安定状態SiH_3の生成・脱離と深く関わっていることがわかった。
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