| 研究課題/領域番号 |
06402025
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
尾浦 憲治郎 大阪大学, 工学部, 教授 (60029288)
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| 研究分担者 |
綿森 道夫 大阪大学, 工学部, 助手 (80222412)
上田 一之 豊田工業大学, 工学部, 教授 (60029212)
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
35,800千円 (直接経費: 35,800千円)
1996年度: 2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
1995年度: 6,200千円 (直接経費: 6,200千円)
1994年度: 27,300千円 (直接経費: 27,300千円)
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| キーワード | 表面水素 / イオンビーム / STM / エピキタシ- / 金属 / シリコン界面 / エピタキシ- |
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| 研究概要 |
我々は、既に水素で終端されたシリコン表面上では、金属薄膜のエピキタシ-が大きく影響される現象を見出し報告してきたが、本科学研究費補助金の助成によって、そのメカニズムの解明を目的とし、原子スケールのミクロな尺度での観察を進めた。その結果、以下のような新しい事実が得られた。
(1)エピキタシ-に与える基盤温度の影響を調べるため、吸着水素に及ぼす基盤温度の影響をイオンビーム法で測定した。その結果、低温(77K)では水素終端して表面が不活性になるというよりはむしろ水素と反応して破壊されていることがわかった。
(2)金属薄膜のうち、AgやPbやInなど、シリコン表面上に直接薄膜を形成したときに2次元的構造をとるものは、水素の終端によって3次元的な金属固有のクラスターが形成されることがわかった。
(3)水素の終端によって3次元的な金属薄膜のクラスターが形成されたとき、一部の露出したシリコン表面は、2次元超構造を形成した時のシリコン原子の変位に応じて、1次元鎖状構造、2次元平面構造などを形成することがわかった。
これらの結果は、水素終端表面における低温ヘテロエピキタシ-のメカニズムの解明の鍵となるものである。
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