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有機金属原料を用いる原子層エピタキシ-のマイクロバランスによるその場観察

研究課題

研究課題/領域番号 06452108
研究種目

一般研究(B)

配分区分補助金
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関東京農工大学

研究代表者

纐纈 明伯  東京農工大学, 工学部, 助教授 (10111626)

研究分担者 高橋 直行  東京農工大学, 工学部, 助手 (50242243)
関 寿 (関 壽)  東京農工大学, 工学部, 教授 (70015022)
研究期間 (年度) 1994 – 1995
研究課題ステータス 完了 (1995年度)
配分額 *注記
7,000千円 (直接経費: 7,000千円)
1995年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
1994年度: 5,400千円 (直接経費: 5,400千円)
キーワードIn situ monitoring / In situ gravimetric monitoring / In situ optical Monitoring / Atomic layer epitaxy / recorstruction / GaAs / In situ gravimetric Monitoring / reconstruction / その場測定 / グラヴィメトリック法 / 原子層エピタキシ- / III-V族半導体 / 化合物半導体 / 気相成長 / 有機金属 / 結晶成長
研究概要

本研究では,これまで我々が進めてきたこれらのその場測定装置を用いて,原料として有機金属を用いるALE成長の成長メカニズムを調べることを目的に行ってきた。
本研究では,大きく分けて2つの方向から本研究に取り組んだ。その一つは,新しい観察手段として,他では行われていないALE成長装置に高感度マイクロバランスを組み合わせたその場測定装置を有機金属系ALEに対して開発すること。もう一方は,ハロゲン系原料を用いたALE成長により有機金属を用いた場合と同じ表面状態を形成して,その面を用いて結晶成長メカニズムの解明を行うことである。
有機金属系を用いたその場測定装置の一番の問題点は加熱方法である。通常の有機金属法では,高周波加熱等を用いたコールドウォールタイプが主流である。これは,ハロゲン化物が熱に対して安定であるのに対して,有機金属原料が熱的に不安定であるためである。しかし,マイクロバランスを用いたその場測定装置に基板結晶のみを加熱することは不可能であるため,以下に示した種々の加熱方法を検討した。
(1)高周波加熱を用いた,立ち上がり距離の非常に短いホットウォールタイプの電気炉
(2)高出力の抵抗加熱を用いたホットウォールタイプの電気炉
その結果,上述の(2)の方法がノイズおよび温度の安定性からも有利であることが明らかになった。この結果を踏まえ,有機原料系のその場測定装置の構築に取り組んだ。
本研究で得られた成果は、当初の目的を達成し、表面における多くの知見を得ることができた。

報告書

(3件)
  • 1995 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1994 実績報告書
  • 研究成果

    (23件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (23件)

  • [文献書誌] H. Ikeda: "Substitution of Surface-Absorbed As Atoms to P Atoms in Atomic Layer Epitoxy." Applied Surface Science. 82/83. 257-262 (1994)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 纐纈明伯: "GaAs原子層エピタキシ-のその場観察-グラヴィメトリック法および表面光吸収法-" 日本結晶成長学会誌. 21. 32-37 (1994)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A. Koukitu: "Determination of Surface Chemical Species in GaAs Atomic Layer Epitaxy by In Situ gravimetric Monitoring." Jpn. J. Appl. Phys.33. L613-L616 (1994)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 纐纈明伯: "ハロゲン系原子層エピタキシ-におけるGaAs成長過程のその場観察" 日本結晶成長学会誌. 21. S161-S168 (1994)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A. Koukitu: "In Situ Gravimetric Monitoring of Arsenic Desorption in GaAs Atomic Layer Epitaxy." J. Crystal Growth. 146. 239-245 (1995)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A. Koukitu: "In Situ Monitoring of the Growth Process in GaAs Atomic Layer Epitaxy by Gravimetric and Optial Methods." J. Crystal Growth. 146. 467-474 (1995)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 第9回「大学と科学」公開シンポジウム組織委員会編: "結晶成長のしくみを探る 原子レベルでの成長メカニズム" (株)クバプロ, 189 (1995)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Ikeda, Y.Miura, N.Takahashi, A.Koukitu and H.Seki: "Substitution of Surface-Adsorbed As Atoms to P Atoms in Atomic Layr Epitaxy." Applied Surface Science. 82/83. 257 (1994)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Koukitu, N.Takahashi, Y.Miura and H.Seki: "Determination of Surface Chemical Species in GaAs Atomic Layr Epitaxy by In Situ Gravimetric Monitoring." Jpn.J.Appl.Phys.33. L613 (1994)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Koukitu, N.Takahashi, Y.Miura and H.Seki: "In Situ Gravimetric Monitoring of Arsenic Desorption in GaAs Atomic Layr Epitaxy." J.Crystal Growth. 146. 239 (1995)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Koukitu, N.Takahashi and H.Seki: "In Situ Monitoring of the Growth Process in GaAs Atomic Layr Epitaxy by Gravimetric and Optical Methods." J.Crystal Growth. 146. 467 (1995)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Takahashi, H.Ikeda, A.Koukitu and H.Seki: "Vapor-Solid Distribution in In_<1-x>Ga_xAs and In_<1-x>Ga_xP Alloys Growth by Atomic Layr Epitaxy." J.Crystal Growth. 155. 27 (1995)

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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Koukitu, N.Takahashi and H.Seki: "In Situ Monitoring of the GaAs growth Process in Halogen Transport Atomic Layr Epitaxt." J.Crystal Growth. (in press.). (1996)

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    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Ikeda: "Substitution of Surface Adscrbed As Atoms to P Atoms in Atomic layer Epitaxy" Applied Surface Science. 82/83. 257-262 (1994)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 纐纈明伯: "GaAs原子層エピタキシ-のその場観察-グラヴィメトリック法および表面吸収法-" 日本結晶成長学会誌. 21. 32-37 (1994)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] A.Koukitu: "Determination of Surface Chemical Species in GaAs Atomic Layer Epitaxy by In situ gravimetric Monitoring" Jpn.J.Appl.Phys.33. L613-L616 (1994)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 纐纈明伯: "ハロゲン系原子層エピタキシ-におけるGaAs成長過程のその場観察" 日本結晶成長学会誌. 21. S161-S168 (1994)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] A.Koukitu: "In Situ Gravimetric Monitoring of Arsenic Descrption in GaAs Atomic Layer Epitaxy" J.Crystal Growth. 146. 239-245 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] A.Koukitu: "In Situ Monitoring of the Growth Process in GaAs Atomic Layer Epitaxy by Gravimetric and Optial Methods" J.Crystal Growth. 146. 467-474 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 第9回「大学と科学」公開シンポジウム組織委員会編: "結晶成長のしくみを探る原子レベルでの成長メカニズム" (株)クバプロ, 189 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] A.KOUKITU: "In situ monitoring of the growth process in GaAs atomic layer expitaxy by gravimetric and optical methods." Journal of Crystal Growth. 146. 467-474 (1995)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] A.KOUKITU: "In situ gravimetric monitoring of arsenic desorption in GaAs atomic layer expitaxy" Journal of Crystal Growth. 146. 239-245 (1995)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] H.IKEDA: "Substitution of surface-adsorbed As atoms to P atoms in atomic layer expitaxy" Applied Surface Science. 82/83. 257-262 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書

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公開日: 1994-04-01   更新日: 2016-04-21  

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