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微細形状を有する基板に接したプラズマのミクロ構造の解析

研究課題

研究課題/領域番号 06452422
研究種目

一般研究(B)

配分区分補助金
研究分野 プラズマ理工学
研究機関京都大学 (1995)
京都工芸繊維大学 (1994)

研究代表者

橘 邦英  京都大学, 工学研究科, 教授 (40027925)

研究分担者 橋口 征四郎  京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助教授 (90033836)
研究期間 (年度) 1994 – 1995
研究課題ステータス 完了 (1995年度)
配分額 *注記
6,800千円 (直接経費: 6,800千円)
1995年度: 3,800千円 (直接経費: 3,800千円)
1994年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
キーワードプラズマプロセス / CVD / エッチング / ラジカル計測 / 表面計測 / 表面反応 / 加工形状 / プラズマ-基板相互作用 / シース構造 / イオンエネルギー分布 / ラジカル密度計測 / 時空間分解測定法
研究概要

まず、基板上での膜堆積やエッチングなどの反応過程の境界条件となる物理量として、気相から基板表面へ輸送されるラジカルのフラックスを求めた。具体例として、SiH_2ラジカルやH原子の密度を測定し、非晶質や多結晶のシリコン薄膜の形成機構におけるそれらの役割を議論した。次に、ラジカルの表面反応過程を直接調べるため、高速位相変調フーリエ変換赤外分光エリプソメトリー(FT-IR PMSE)という手法を新しく開発した。その方法を用いてフロロカーボン系のプラズマに晒されたSi基板表面での結合状態を系統的に調べた。気相での測定結果と対比することによって、イオン衝撃支援エッチングが進行している条件では、一定の厚みのフッ化層が形成されており、逆にイオン衝撃の少ない条件では、CF_2を主な前駆体とするポリマー膜が堆積して、エッチング反応を抑制していることがわかった。今回開発したin-situ表面計測法は化学結合状態が高感度に測定できるが、空間分解能が悪いため、ミクロ構造をもつ基板に対しては有効ではない。そこで現在、反射干渉法を利用した新しい表面加工形状の測定法を考案しており、それを併用することによってサブミクロンの空間分解能でプラズマと表面の相互作用を計測していく計画を進めている。また、表面反応や加工形状に大きな影響をもつイオンの入射エネルギーとその角度分布についても、微細な貫通穴をもつ基板を透過してきたイオンを質量分析する手法で直接測定する実験を遂行している。

報告書

(3件)
  • 1995 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1994 実績報告書
  • 研究成果

    (20件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (20件)

  • [文献書誌] K. Tachibana: "Detection of Hatoms in RF-discharge SiH_4, CH_4, H_2 plasmas by two-photonabsorption laser-inducedfluorescence spectroscopy" Japanese Journal of Applied Physics. 33. 4329-4334 (1994)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Tachibana: "Insituellipsometric monitoring of the growth of polycrystalline silicon thinfilms by RF plasma chemical vapor deposition" Japanese Journal of Applied Physics. 33. 4191-4194 (1994)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Tachibana: "Spatio-temporal measurement of excited Xe(1^<S4>) atoms in a discharge cell of a plasmadisplay panel by laser spectroscopic microscopy" Applied Physics Letters. 65. 935-937 (1994)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Tachibana: "Ion impact energy distributions and properties of amorphous hydrogenated carbonthin films preparedinaself-biasedrf discharge" Japanese Journal of Applied Physics. 33. 6341-6349 (1994)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Tachibana: "Measurement and calculation of SiH_2 radical density in SiH_4 and Si_2H_6 plasma for the deposition of hydrogenated amorphous silicon thin film" Japanese Journal of Applied Physics. 34. 4239-4246 (1995)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Tachibana: "Construction and performance of a Fourier-transform infrared phase-modulated ellipsometer for in process surface diagnostics" Japanese Journal of Applied Physics. 35(掲載予定). (1996)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Tachibana: "Detection of Hatoms in RF-discharge SiH_4, CH_4, H_2 plasmas by two-photon absorption laser-induced fluorescence spectroscopy" Japanese Journal of Applied Physics. 33-7B. 4329-4334 (1994)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Tachibana: "In situ ellipsometric monitoring of the growth of polycrystalline silicon thin films by RF plasma chemical vapor deposition" Japanese Journal of Applied Physics. 33-7B. 4191-4194 (1994)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Tachibana: "Spatio-temporal measurement of excited Xe (1s4) atoms in a discharge cell of a plasma display panel by laser spectroscopicmicroscopy" Applied Physics Letters. 65-8. 935-937 (1994)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Tachibana: "Ion impact energy distributions and properties of amorphousydrogenated carbon thin films preparedinaself-biased rfdischarge" Japanese Journal of Applied Physics. 33-12. 6341-6349 (1994)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Tachibana: "Measurement and calculation of SiH_2 radical density in SiH_4 and Si_2H_6 plasma for the deposition of hydrogenated amorphoussilicontinfilm" Japanese Journal of Applied Physics. 34-8A. 4239-4246 (1995)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Tachibana: "Construction and performance of a Fourier-transform infrared phase-modulated ellipsometer for in process surface diagnostics" Japanese Journal of Applied Physics. 35-6 (to be published). (1996)

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    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Tachibana: "Roles of H radicals in the low temperature growth of poly-Si films by plasma CVD using SiF_4/SiH_4/H_4" Proc. 12th Int. Symp. on Plasma Chemistry(Minneapolis). 4. 2125-2130 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] K. Tachibana: "In situ Fourier Transform infrared ellipsometry for monitoring c-Si etching process by CF_4 plasma" Proc. 12th Int. Symp. on Plasma Chemistry(Minneapolis). 3. 1413-1418 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] K. Tachibana: "Measure ment and calculation of SiH_2 radical density in SiH_4 and Si_2H_6 plasma for the deposition of hydrogenated amorphous silicon thin films" Japanese Journal of Applied Physics. 34. 4239-4246 (1995)

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      1995 実績報告書
  • [文献書誌] S. Hashiguchi: "Investigation of discharge phenomena in a cell of color plasma display panell I. One-dimensional model and numerical method" Japanese Journal of Applied Physics. 35. 251-258 (1996)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] K. Tachibana: "Construction and performance of a Fourier-transform infrared phasemodulated ellipsometer for in-process surface diagnostics" Japanese Journal of Applied Physics. 35(掲載予定). (1996)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] K.Tachibana: "Detection of H atoms in RF-discharge SiH_4,CH_4,H_2 plasmas by two-photon absorption laser-induced fluorescence spectroscopy" Japanese Journal of Applied Physics. 33. 4329-4334 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] K.Tachibana,: "Spatio-temporal measurement of excited Xe(ls_4)atoms in a discharge cell of a plasma display panel by laser spectroscopic microscop" Applied Physics Letters. 65. 935-937 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] T.Tatsuta: "Ion impact energy distributions and properties of amorphous hydrogenared carbon thin films prepares in a self-biased rf dischrage" Japanese Journal of Applied Physics. 33. 6341-6349 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書

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公開日: 1994-04-01   更新日: 2016-04-21  

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