| 研究課題/領域番号 |
06555006
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| 研究種目 |
試験研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
藤田 茂夫 京都大学, 工学研究科, 教授 (30026231)
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| 研究分担者 |
川上 養一 京都大学, 工学研究科, 助手 (30214604)
藤田 静雄 京都大学, 工学研究科, 助教授 (20135536)
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1995
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| 研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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| 配分額 *注記 |
2,700千円 (直接経費: 2,700千円)
1995年度: 2,700千円 (直接経費: 2,700千円)
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| キーワード | 光触媒反応 / 水素パッシベーション / 不純物添加 / 量子構造 / 急速熱処理 / 青緑半導体レーザ / 有機金属気相成長法 / ZnCdSe / p型ZnSe / 窒素添加 / 熱処理 |
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| 研究概要 |
本研究は、実用的な半導体結晶育成技術である有機金属気相成長法(MOVPE)により、II-VI族半導体レーザの作製を行うことを目的として、現在のこの技術における問題点である量子構造の構造制御とp型不純物添加に突破口を開くことを目指すという視点で、研究を行った。以下に、得られた結果を示す。
1.有機亜鉛と有機セレンを原料とした光MOVPE法が最適であること、光照射により生じたキャリアがp型ド-ピングをassistする効果を持つことが明らかになった。
2.p型ドーパント原料として、タ-シャリブチルアミンが現時点で最適であることが明かになった。
3.熱処理法を組み合わせることで、5×10^<17>cm^<-3>までの有効アクセプタ密度のp型ZnSeを得ることができた。
4.ダブルヘテロ構造によるレーザ発振を試みたが、その実現には至らなかった。これは、研究の遂行の過程で明かな問題点となった、熱処理による活性層の拡散を克服できなかったためである。
5.電極材料として、ZnSe上のGaAs系半導体の成長を行う条件を確立し、高融点金属による電極抵抗の低減の見通しを得た。
6.実用レベルの半導体レーザ作製に向けた結晶成長のガイドラインとして、原料の選択、成長条件の設定、p型基板上の構造の利用、急速熱処理によるアクセプタ活性化、などが望ましいことが明らかになった。
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