| 研究課題/領域番号 |
06555013
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(A)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 試験 |
|---|
| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
|
|---|
| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
|---|
研究代表者 |
梅野 正義 名古屋工業大学, 工学部, 教授 (90023077)
|
|---|
| 研究分担者 |
松本 功 日本酸素株式会社, つくば研究所, 室長
江川 孝志 名古屋工業大学, 極微構造デバイス研究センター, 助教授 (00232934)
神保 孝志 名古屋工業大学, 極微構造デバイス研究センター, 教授 (80093087)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1994 – 1996
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
|
| 配分額 *注記 |
18,000千円 (直接経費: 18,000千円)
1996年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
1995年度: 4,800千円 (直接経費: 4,800千円)
1994年度: 11,000千円 (直接経費: 11,000千円)
|
|---|
| キーワード | ドロップレット / 有機金属気相成長 / 島状結晶 / 寿命試験 / シリコン上レーザー / 転位 / 自己形成 / 量子井戸構造 / 暗線欠陥 / ピニング効果 / 寿命 / 量子井戸レーザー / 熱処理 / 有機金属気相成長法 / シリコン上ガリウム砒素 |
|---|
| 研究概要 |
活性層の体積を微小化することにより、活性層中の転位数を減少させることにより、Si基板上GaAs系レーザーの長寿命化を試みた。有機金属気相成長を用いたドロップレットエピタキシ-法により高さ平均16nm,直径平均330nmのGaAs島状結晶(密度1〜2×10^7cm_<-2>)を自己形成させ、これを活性領域とするレーザーを作製した。
室温パルス駆動時において閾値電流密度6〜8kA/cm^2で第二凖位からのレーザー発振を達成した。100Kでは閾値電流密度3.5kA/cm^2での連続発振動作を確認した。また、LED modeでのACC寿命試験(電流密度0.5kA/cm^2)において、従来の量子井戸構造レーザーでは急速劣化を示すのに対して、光出力半減までに約63時間を要しており、活性層体積の減少がSi基板上GaAs系発光デバイスの寿命改善に効果があることを実証した。
今後、活性層のさらなる微小化及び均一性化を図ることにより、低閾値電流化によるSi基板上GaAs系レーザーの飛躍的な信頼性向上が期待できる。
|
