| 研究課題/領域番号 |
06555096
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 試験 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
横山 新 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (80144880)
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| 研究分担者 |
桜田 勇蔵 日本真空技術(株), イオン機器部, 部長
宮崎 誠一 広島大学, 工学部, 助教授 (70190759)
廣瀬 全孝 広島大学, 工学部, 教授 (10034406)
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
11,700千円 (直接経費: 11,700千円)
1996年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
1995年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
1994年度: 7,800千円 (直接経費: 7,800千円)
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| キーワード | 中速イオン散乱 / イオン注入装置 / 飛行時間測定 / 表面損傷 / 不純物分布 / 半導体検出器 / プラズマ損傷 / スペクトルシミュレーション / アルゴンプラズマ / コンタクトホール / アンチモンイオン注入 |
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| 研究概要 |
本研究では、表面損傷評価、不純物分布評価が可能な中速イオン散乱(MEIS)装置を開発し、半導体プロセス評価を行うことを目的とする。
平成6年度は、半導体検出器(SSD)を用いて半導体表面のプラズマ損傷の評価を行った。また、実験スペクトルとシミュレーションスペクトルとの比較により解析を行う方法を開発した。
平成7年度はイオン注入装置に組み込める飛行時間(TOF)測定装置を設計・開発し、その性能をシミュレーション結果と比較した。また、MEISシミュレータの改良も行った。
平成8年度はTOF測定の実用化のために装置の改良を行った。
問題点は以下の2点であった。(1)パルスビームを得るために、高圧チョップ電圧(3kV)を印可し、ヘリウムイオンビームを偏向させると、ビームが加速管の軸からずれてしまうため、ビーム強度が低下すること(2)用いているSSD検出器では、高分解能測定に必要な30keV以下のイオンの検出がノイズのため不可能になることである。
これらの問題点を解決するために以下の2点の改良を行った。
(1)あらかじめチョップ方向と逆方向の高電圧(1.5kV)を印加することによりビームの軌道を加速管軸に一致するよう修正した。(2)検出器に低エネルギーイオン(2〜50keV)検出が可能なマルチチャネルプレート(MCP)を用いた。
平成9年度はイオン錯乱測定をTiシリサイド反応を評価に用い、Si基板中の不純物(Sb)がSiとTiシリサイドの界面およびTiシリサイドとその保護層であるTiN層との界面に偏析することを明らかにした。
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