| 研究課題/領域番号 |
06555104
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| 研究種目 |
試験研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 宮城工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
唐澤 信司 宮城工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (10042243)
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| 研究分担者 |
大森 純一 日本電気アイシーマイコンシステム(株), システムマイクロ第一技術部, 技術課長
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1995
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| 研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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| 配分額 *注記 |
800千円 (直接経費: 800千円)
1995年度: 300千円 (直接経費: 300千円)
1994年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
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| キーワード | n-MOS FET / 階段形電圧電流特性 / MOSデバイス / 多値論理 / しきい値 / n‐MOSFET |
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| 研究概要 |
nチャンネルの階段形特性MOSデバイスを実用化する際に必要とする基本的な特性を絞り込んで、TEGの回路設計およびプロセス設計を行い、平成6年7月に11枚1組のフォトマスクを電子ビーム露光装置によって製作し、8月より東北大学電気通信研究所スーパークリーンルームで階段形MOSデバイスだけを製作する実験を開始した。製作工程ごとの事前のプロセスのテストと事後のデバイスの評価を行ったので月日を要したが、平成7年1月に製造工程の全てを終了した。
試作したnチャンネル段階形特性MOSデバイスは殆どの素子が完全に動作した。pチャンネル段階形特性MOSデバイスと比較すると試作素子は使用する状態の電圧電流の極性が反対であるが、特性曲線群は相似であった。試作素子は基板にマイナスのバイアス電圧を加えることにより、電流の立ち上がる電圧が大きくシフトし、かつ階段状の特性曲線をシャープにすることができた。
この素子は多値フリップフロップのみならず生体の感覚器官の受容器の如くしきい値で動作する回路に適している。そこで、残りの研究期間をソフトウエアを用いないイベントトリガ・シーケンス制御回路群で信号が処理がなされる音声認識装置の検討を進めた。音声波形のパルス化回路を試作実験を行い、実時間音声認識回路システムで必要とされるパルス幅弁別MOS回路などの検討を行った。
これらの研究結果は階段形特性MO5デバイスの実用化を大きく促進する成果であった。本研究により階段形特性MOSFETの基本特性の信頼性が確立し、実用化の基礎が確立された。
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