| 研究課題/領域番号 |
06555206
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| 研究種目 |
試験研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 東京工業大学 (1995)
岡崎国立共同研究機構 (1994) |
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研究代表者 |
川副 博司 東京工業大学, 工業材料研究所, 教授 (80087288)
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| 研究分担者 |
丹治 宏彰 HOYA(株), 材料研究所, グループリーダー
植田 尚之 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (00261123)
細野 秀雄 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助教授 (30157028)
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1995
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| 研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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| 配分額 *注記 |
8,100千円 (直接経費: 8,100千円)
1995年度: 3,600千円 (直接経費: 3,600千円)
1994年度: 4,500千円 (直接経費: 4,500千円)
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| キーワード | 透明電極 / イオン注入 / スピネル / 紫外透明電極 / 透明伝導体 / キャリア生成 / アモルファス伝導体 |
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| 研究概要 |
本研究の成果を以下に要約する。
1)n型高伝導性ワイドギャップ酸化物の単結晶作製技術の確立。ZnGa204およびGa203について、前者はフラックス法により、後者はフラックス法および帯溶融法により単結晶作製を行いその条件を確定した。
2)単結晶に対するド-ピング手法の発見。上述の2者は、特に単波長まで(250nm)透明なウルトラワイドギャップ結晶である。これらに対し、酸素分圧制御によって酸素欠陥濃度を変え、伝導率を10ケタにわたって変化させ得ることを発見した。Ga203の場合は、ルチル鎖方向の易動度がそれと垂直方向の値の20倍大きいこと、即ちルチル鎖が電子伝導路であることを実証した。またZnGa204の場合は、酸素欠損の生成がGa/Zn比をGa過剰にし、同時に構造を欠陥NaCl型に変えることを見出した。
3)アモルファス透明金属の発見。CdO-GeO2,CdO-PbO2系に関し、ガラス状態で光学的に透明あるにもかかわらず金属的伝導性をもつ物質を発見し薄膜化技術を確立した。本材料は、光と電子を同時に輸送できる導波路を形成する素材である。
4)ワイドギャップ酸化物p型伝導体を作製する方法論を提案した。第一は、ns2電子配置をもつn-blockカチオン系を選択し、原子価帯上端部を構成する酸素の2p軌道とのmixingをはかり、正孔の易動度が大きくなることをねらうものである。第二は、nd10レベルと酸素の2pとの混合を意図するもので、この場合は1価の銅、銀、金が対象となる。
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