| 研究課題/領域番号 |
06650014
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 中部大学 (1995)
名古屋大学 (1994) |
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研究代表者 |
後藤 英雄 中部大学, 工学部, 助教授 (00195942)
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| 研究分担者 |
平松 和政 名古屋大学, 工学部, 助教授 (50165205)
デートプロム ティーラデ 名古屋大学, 工学研究科, 特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
1995
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| 研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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| 配分額 *注記 |
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
1995年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
1994年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | GaN / バルク単結晶 / ハイドライド気相成長 / ホモエピタキシ- / SiO_2マスク / 選択成長 / ZnOバッファ層 / 伝導性制御 / キャリア濃度 / SiCl_4 / 抵抗率 |
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| 研究概要 |
現在、(0001)サファイア基板上にスパッタリングで堆積したZnOバッファ層上に、ハイドライド気相成長(HVPE)法により、、アコドープバルクGaN単結晶を作製している。この方法では、キャリア濃度10^<16>cm^<-3>の高品質n型単結晶が得られる。この結晶を基板として、Mg濃度7×10^<19>cm^<-3>のP型GaNを有機金属化学気相成長法によりホモエピタキシャル成長させてPn接合として、青色発光ダイオードを実現した。Pn接合の電流・電圧特性は直列抵抗成分と、ピットにおけるリ-ク電流により、6Vの立ち上がりと、低い逆方向の耐圧であった。
サファイヤ基板上に堆積したZnOバッファ層上に、SiO_2をスパッタし、ZnO上とSiO_2上の成長の差異を利用して選択成長を行った。SiO_2マスクが無い場合と同様の平坦なGaN膜が成長し、SiO_2上には、六角すい状のGaN結晶粒がわずかに成長した。
SiO_2マスクとの境界では、GaNには{1TO1}のファセットが現れた。また、数十μmの幅で、数μmの高さのエッヂ成長が観測された。ZnO上、SiO_2上どちらのGaNも青色域にピークを持つルミネセンスが観測された。
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