| 研究概要 |
1、Si^<2+>,Pb^<2+>などの不純物がなくても光誘起磁気効果が生じることが分かった。これまで光誘起磁気効果が観測された試料は,多少なりともホストと異なる価数を持つ不純物イオンを含んでいた。そのためこれらの不純物が光誘起磁気効果を起こす原因として考えられてきた。ところが熱処理などの操作を加えたデータを解析した結果必ずしも不純物が原因とは限らないことを示した。すなわち不純物を含んだ試料の場合も,FZ-YIGの時と同様に酸素欠陥が原因となっている可能性を指摘した。
2低温で光を照射すると透磁率実部の低下ばかりでなく,光照射後温度を上げていく過程で透磁率虚部のピークならびにディスアコモデーションが観測されることを見出した。光誘起ディスアコモデーションというのは新しいといえる。
3およそ800nm以下の波長の光であれば,光誘起磁気効果を起こすことが分かった。これから励起エネルギーは1.6eVと求められる。以上の実験と関連してまた光吸収係数に対する光照射効果でも類似の波長依存性を観測した。この光学特性の変化は磁気特性の変化と対応する。
4磁壁易動度緩和時間を取り入れたモデルで,YIGの光誘起ディスアコモデーションの振る舞いを現象論的に説明した。通常ディスアコモデーションの解析にはRichter関数を用いるが,それでは緩和時間に非常に大きな分布を仮定しなければならず,また測定周波数依存性や透磁率虚部を扱うこともできない。そこで,消磁後に磁化緩和時間が時間変化すると考えてモデルを作ることにより,単一の緩和時間で実験結果を再現し,さらに周波数依存性やμ″-t曲線に極大が現れることなどを観測した。
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