| 研究課題/領域番号 |
06650143
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
機械工作・生産工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
山内 和人 大阪大学, 工学部, 助教授 (10174575)
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| 研究分担者 |
佐野 泰久 大阪大学, 工学部, 助手 (40252598)
山村 和也 大阪大学, 工学部, 助手 (60240074)
森 勇藏 大阪大学, 工学部, 教授 (00029125)
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1995
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| 研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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| 配分額 *注記 |
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
1995年度: 300千円 (直接経費: 300千円)
1994年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | 表面光起電力 / シリコン / 表面電子準位 / 微弱表面電位計測システム / EEM / 超精密加工面 / 非接触 / 加工変質層 / SPV / 分光 / 低温 / 半導体 / 起精密加工 |
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| 研究概要 |
Siを始めとする半導体の超精密加工面の結晶学的な乱れを観察するために、表面起電力効果を利用した表面評価法を開発した。表面光起電力は加工面の原子配列の乱れに起因する表面電子構造の変化を非接触で計測し得る手段である。本研究では、当該研究グループがこれまでから行なってきた単色レーザー光による表面光起電力の計測技術を発展させ、連続波長光源を分光器によって単色化した光を利用する表面光起電力のスペクトロスコピー化を提案した。
非常に密度の小さい超精密加工表面の表面電子準位を計測するためには、励起光源としてレーザークラスの大きなフォトンフラックスを持った光源が望ましい。しかし、最も適用が望まれるSiではバンドギャップが1.1eVであるため、表面の結晶学的な乱れの情報が含まれる表面電子準位を計測するためには赤外領域の光源が不可欠であるにもかかわらず安定に利用できる色素レーザー等の大きなフォトンフラックスを持った連続波長光源が存在しない。このため、本研究では熱輻射型の光源を用いざるを得ず、励起光の光量不足を補うために表面電位計測精度の向上に取り組んだ。その結果、微弱表面電位計測システムと表面電位の緩和やゆらぎ現象を抑えるための試料冷却システムを新たに開発することによって、これまで分離することが不可能であったSi単結晶の化学研磨面のエッチャントの違いによる表面電子準位密度の差を明らかにするとともに、EEMを始めとする超精密加工面との違いをも検出することに成功した。
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