| 研究課題/領域番号 |
06650355
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
今井 茂 東京工業大学, 工学部, 助手 (40223309)
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| 研究分担者 |
松村 正清 東京工業大学, 工学部, 教授 (30110729)
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| 研究期間 (年度) |
1994
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| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1994年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | 原子層エピタキシ- / シリコン / ゲルマニウム / ヘテロ界面 |
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| 研究概要 |
1.Ge基板にジメチルゲルマンを原子状水素の交互供給を行い、GeのホモALEを実現した。成長速度は、420℃から530℃までの広い温度範囲にわたり1原子層/サイクルで一定であり、また、どちらのガスの照射量にも依存しない。AES測定により、膜中へのCの混入はないことを確認した。AFMによる観察により100サイクルのALEによる表面荒さの増加は2原子層程度であることを確認した。
2.Ge基板に原子状水素とジクロルシランの交互供給を行いSi層を形成した。この基板表面の構造を角度分解XPS法により調査した。その結果、Ge上のSiのヘテロALEではSiは1原子層/サイクルで成膜すること、成膜したSiの表面に1原子層近いGeが表面偏折することがわかった。これは原子状水素の照射により成長膜表面をカバーしている塩素がはずれ、Si表面がむき出しになるからである。従って、成長Si層の表面を常にカバーしながらALEを行う必要がある。
3.Si上のGeのテヘロALEにおいて、Si基板上に原料ガス中の有機基が吸着しGeの原子層吸着を妨げることをXPS観察により確認した。そこで、有機原料ガスの代わりにトリクロルゲルマンを照射し、0.5原子層のGeが吸着することを確認した。
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