| 研究課題/領域番号 |
06650363
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
畑中 義式 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (60006278)
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| 研究分担者 |
SUNIL Wickra 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 (50252169)
中村 高遠 静岡大学, 工学部, 助教授 (10022287)
中西 洋一郎 静岡大学, 電子工学研究所, 助教授 (00022137)
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1995
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| 研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1995年度: 300千円 (直接経費: 300千円)
1994年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
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| キーワード | 有機シリコン / リモートプラズマ / シリコンカーバイド薄膜 / ヘキサメチルジシラン / SiO_2薄膜 / 水素ラジカル反応 / プラズマCVD / TEOS |
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| 研究概要 |
有機シリコンを原料として用いて半導体薄膜を得るために、その反応過程を調べる目的で、リモートプラズマ法を用いて薄膜堆積の実験を行った。SiC系の薄膜を得るために有機シリコンとしてSi-C結合を有するもので、更に、Si-Si結合をも有する分子と、そうでないものとの違いを調べた。原子状水素ラジカルが有機シリコンの分解に作用するためには、Si-Si結合が分子中に含まれていることが必要であることが分かった。従って、SiC薄膜を作製するためには、原料としてヘキサメチルジシラン(HMD S)のようにSi-Si結合を有するものを用いるべきこと、テトラメチルシリルシラン(TMSS)のようにSi-Si結合を多くもつものでも、分子量で規格化すれば、薄膜堆積過程は同じであることが分かった。
また、Si-Si結合を含まない例えば、テトラメチルシランの場合、原子状水素ラジカルの反応によって薄膜堆積はおこらないこともわかった。SiO2薄膜を得るためにテトラエトキシオキシシリコン(TEOS)を用い、且つECRプラズマを用いることにより、安全かつ低温でカバレージ性の良い薄膜形成が出来ること、また、プラスチック上にもハードコーテイングが可能なことが分かった。また、ヘキサメチルジシラザン(HMDZ)を用いてSiNの堆積を試みた。この有機分子はSi-N結合をもっているが、製膜の過程で炭素の混入が避けられないこと。炭素の混入によりこの得られた薄膜はその電気抵抗が湿度に対して極めて敏感なものであることがわかった。今後、さらに、有機シリコン及び有機金属の一連のCVD反応過程の追求を展開すると共に新しい薄膜素材の開拓を行って行きたいと考えている。
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