| 研究課題/領域番号 |
06650369
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 芝浦工業大学 |
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研究代表者 |
長友 隆男 芝浦工業大学, 工学部, 教授 (70052868)
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1995
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| 研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1995年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
1994年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | 窒化ガリウム・インジウム / 有機金属気相成長 / エピタキシャル成長 / p形伝導 / 青色発光素子用材料 / 紫外線照射 / フォトルミネセンス / 不純物準位・アクセプタ / 不純物準位 |
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| 研究概要 |
平成6年度の助成を受けて反応炉を窒素系に改造し、本研究の主たる研究目的である窒化ガリウム・インジウム(GaInN)混晶膜へp形不純物であるマグネシウム(Mg)のド-ピングを行ってきた。従来、我々の研究グループでは、結晶成長の反応系を減圧にして成長を行っていたが、窒素空孔を減らすために本年度は1気圧に近い成長圧力(700Torr)で結晶成長を行った。成長条件はほぼ確立できたと考えている。GaN膜でキャリア濃度が10^<16>cm^<-3>程度まで減少している。製膜後の熱処理方法の最適化を図る必要がある。サファイア基板上のGaNエピタキシャル成長膜でキャリア濃度が10^<16>cm^<-3>オーダー、GaN(0002)面のX線回折ピークの半値幅390arcsec.(二結晶X線ロッキングカーブによる)程度で良質の膜を得ている。良質の結晶を得た同一条件でMgをドープしたGaN膜を作製、窒素雰囲気中で熱処理を施してp形膜を得、このGaN pn接合で発光波長420nmの青色発光を得ている。GaN、GaInN、GaAlNの屈折率などの光学定数の測定は、その波長依存性も含めて、反応系から試料を取り出し、偏光解析装置(エリプソメーター)を用いて行っている。これらの測定値はレーザーダイオード設計のための必要不可欠のものである。GaN、GaInN、GaAlNを積層に堆積させたダブルヘテロ接合で低電圧駆動で、高輝度の発光ダイオード(LED)を作製することが可能となった。現在、p-GaN/GaInN/n-GaNダブルヘテロ接合LEDの作製を進めている。レーザーダイオードに発展させるために、どのような方法でキャビティを作製するかも併せて検討している。
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