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コリメーションパッタに関する基礎的研究

研究課題

研究課題/領域番号 06650371
研究種目

一般研究(C)

配分区分補助金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関法政大学

研究代表者

原 徹  法政大学, 工学部, 教授 (00147886)

研究分担者 浜中 宏見 (浜中 広見)  法政大学, 工学部, 教授 (10061235)
山本 康博  法政大学, 工学部, 教授 (50139383)
長野 昌三  菱化マッセイ, 部長
研究期間 (年度) 1994 – 1995
研究課題ステータス 完了 (1995年度)
配分額 *注記
1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
1995年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1994年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
キーワードスパッタ / コリメーション / ターゲット / チタンマク / コンフオマリティ / オーミックコンタクト / LSI / メタル膜 / ビーム角 / コリメータ / チタン / マクシツ / カクドブンプ
研究概要

本研究ではコリメーションスパッタに関する基礎的な研究を行い、多くの新しい知見を得た。特にコリメーションスパッタでスパッタビームの直進性を向上し、より多くのビームを効率良くコリメータを通過させるための実験とシミレーションを行い解決策を得た。この研究成果は超LSIで微細コンタクト電極技術として広く用いられる。
コリメーションスパッタは1/4ミクロン以下のパターン寸法を有した超LSIでは必須なプロセス技術となりつつある。しかしこの技術の基礎的な研究、特にこのスパッタに用いるターゲットに関する研究はほとんど行われていないのが現状で、これらの基礎的研究を大学に望まれていた。このスパッタの現用のターゲットをそのまま用いると、放射されたビームのほとんどはターゲットと基板の間に置かれたアスペクト比の大きなコリメータの側壁にトラップされ、実際に基板に堆積されるのはごくわずかとなる。実際にはどのようなターゲットを用いたらよいか分からないため、従来のベ-サル面(200)配向の高いターゲットがそのまま用いられている。
本研究ではコリメーションスパッタの原理に解析を加え、従来のターゲットと配向の異なった5種類のターゲットを実際に作製した。(米国及び国内にターゲットメーカに作製依頼)この配向の異なったターゲットに対する諸特性、ターゲット自体の配向性、ターゲットから放射されるビーム角度分布、コリメータを通過するビームの直進性などを実測した。これらの実験結果からこのコリメーションスパッタ技術を実用化する上で必要なデータをほとんどとることができた。このような実験では今までほとんど行われていなかった。これらの実験結果を計算機によるシミレーションから、コリメータを通過する直進性ビーム成分の強いターゲットは従来用いられているターゲットと逆にベ-サル面(200)配向の低いターゲットであることを明らかにした。
これらの結果から、今後超LSIに広く用いられるコリメーションスパッタには用いるターゲットは現在用いられているベ-サル面(200)配向の高いターゲットではなく、ベ-サル面(200)配向の低いコリメーションスパッタ専用のターゲットを新たに開発し用いることが必要ことがあきらかになった。

報告書

(3件)
  • 1995 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1994 実績報告書
  • 研究成果

    (36件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (36件)

  • [文献書誌] 原 他: "Properties of Tilanium Layers Deposited by Collimation Sputtering" J of Vacuum Science & Technology,. 12. 506-508 (1994)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 原 他: "Damage Formed by Plasma Boron Doping in Silicon" Japan. Appl. Phys.33. 5608-5611 (1994)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 原 他: "Damage Formed by Si+lmplantation in GaAs" Japan. J. Appl. Phys.33. 1435-1437 (1994)

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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 原 他: "DCプラズマド-ピング法-高キャリア濃度p+層形成" 応用物理. 63. 1153-1154 (1994)

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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 原 他: "Multiple-species lmplantation for Defect Engineering of Shallow p+-junction in Si(100)" Trans. Mat. Res. Soc. Japan,. 17. 401-406 (1994)

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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 原 他: "Raman lmage Study of Flash-Lamp Annealing of lon-lmplanted Silicon" J of Appl. Phys.77. 3388-3392 (1995)

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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Hara, T.Nomura, K.Sone and Suzuki: "Properties of TitaniumLayrs Deposited by Collimation Sputtering" J of Vacuum Science & Technology. A 12 (2) March 1 April. 506-508 (1994)

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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Hara, K.Shinada and S.Nakamura: "Damage Formed by Plasma Boron Doping in Silicon" Japan. Appl. Phys.33, Pt.1, No.10. 5608-5611 (1994)

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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Hara, T.Muraki, S.Takeda, N.Uchitomi, Y.Kitaura and G.-B Gao: "Damage Formed by Si+ Implantation in GaAs" Japan. J.Appl. Phys.33, Pt. 2, No.10. PL.1435-1437 (1994)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Hara, K.Shinada: "Damage Formed by Plasma Boron Doping in Silicon" Applied Phys. (Japan). 63, 11. 1153-1154 (1994)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.I.Current, T.Hara, S.Fujii, M.Inoue and N.Ohno: "Multiple-species Implantation for Defect Engineering of Shallow p+-junction in Si (100)" Trans. Mat. Res. Soc. Japan Elsevier. Vol. 17. 401-406 (1994)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Mizoguchi, S.Nakajima and T.Hara: "Raman Image Study of Flash-Lamp Annealing of lon-lmplanted Silicon" J of Appl. Phys.77 (7), 1 April. 3388-3392 (1995)

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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Hara, T.Okuda, K.Shinada: "Stress Measurement in Al-Si-Cu interconnection Layrs" J .Electrochomm. C-11 78-C-11, No.5. 305-310 (1995)

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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Hara, Okuda, S.Nagano and T.Ueda: "Stress Measurement in Al-Si-Cu interconnection Layrs" J of Electrochemical Soc.142, No.6. 1946-1950 (1995)

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      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Hara, J.Y.Zhu, A.Mochizuki and H.Kohzu: "Thermal Stability in Al/Ti/GaAs Schottky Barrier" Japan J.Appl. Phys.34, Pt. 2, 7A. 800-802 (1995)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Hara, S.Takeda, A.Mochizuki, H.Oikawa, A.Higashisaka and H.Kohzu: "Carbon lon lmplantation in GaAs" Japan. J.of Appl. Phys.34, Pt.2, 8B. 1021-1024 (1995)

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    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Takamatsu, S.Sumie, T.Morimoto, Y.Kawata, T.Muraki and T.Hara: "Characteristics of Photoacoustic Displacement for Siticon Damaged by lon lmplantation" J.Appl. Phys.78 (3), 1 Aug.1504-1509 (1995)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Hara: "Alloyed Schottky Barrier in GaAs MESFETs : TiAs/Ti2Ga3 Double layr" The Symp. on Wide Bandgap Semiconductors and Devices. Vol.95-21. 354-367

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Mizoguchi, S.Nakashima, H.Harima and T.Hara: "Roman Image Study of Detects in lon-lmplanted and Post Anneated Silicon" Materials Science Forum. Vol. 196-201. 1547-1552 (1995)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1995 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 原: "Alloyed Schottky Barrier in GaAs MESFETs: TiAs/Ti_2Ga_3 Double layer" 354-367 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 原: "Arsenic Ion Implantation into SIMOX Layers" Appl. Phys. Lett.

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 原: "Stress Reduction in Al-Sc Interconnection Layers by Superplastic Deformation" J of Electrochemical Soc.

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 原: "Grain Boundary Orientation in Al-Si-Cu Interconnection Measurement of the Tilt from the(III)Plane"

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 原: "Formation of Ti_2N Layer Tilting of the(III)Al plane in Al-1.0%Si-0.5%Cu Interconnection Layers" J. Electronchem. Soc.

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 溝口: "Raman Image Study of Flash-Lamp Annealing of Ion-Implanted Silicon" J of Appl. Phys. 77(7). 3388-3392 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 原: "Al-Si-Cu配線膜の(III)面からの傾きとこれに影響を与えるCu高濃度層" 電子情報通信学会論文誌. 305-310 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 原: "Stress Measurement in Al-Si-Cu interconnection Layers" J of Electrochemical Soc. 142. 1946-1950 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 原: "Thermal Stability in Al/Ti/GaAs Schottky Barrier" Japan J. Appl. Phys. 34. 800-802 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 原: "Carbon Ion Implantation in GaAs" Japan. J. of Appl. Phys. 34. 1021-1024 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] 高松: "Characteristics of Photoacoustic Displacement for Silicon Damaged by Ion implantation" J. Appl. Phys. 78(3). (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] T Hara.T Nomura.K So.: ""Properties of Titanium Layers Deposited by Collimation Sputtering"" J of Vacuum Science & Technology. 12. 506-508 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] T Hara.K Shinada.and S: ""Damage Formed by Plasma Boron Doping in Silicon"" Japan.Appl.Phys.33. 5608- (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] T Hara.T Muraki.S.Tak: ""Damage Formed by Si+ Lmplantation in GaAs"" Japan.J.Appl.Phys.33. 1435-1437 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] 原,品田: "プラズマド-ピング法による浅い接合形成" 応用物理. 63. 1153-1154 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] T Hara.T Okuda.S Na.: ""Stress Measurement in Al-Si-Cu interconnection Layers"," J of Electrochemical Soc.137. (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書
  • [文献書誌] Mizoguchi,S.Nakajima a: ""Raman lmage Measurement of Flash-Lamp Annealed Silicon"" J of Appl.Phys.62. (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書

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公開日: 1994-04-01   更新日: 2016-04-21  

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