| 研究課題/領域番号 |
06650372
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 武蔵工業大学 |
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研究代表者 |
秋谷 昌宏 武蔵工業大学, 工学部, 教授 (60231833)
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| 研究期間 (年度) |
1994 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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| 配分額 *注記 |
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1995年度: 300千円 (直接経費: 300千円)
1994年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
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| キーワード | Mg含有Al-Si膜 / エレクトマイグレーション / ボイド / 活性化エネルギー / LB膜 / 三元合金膜 / エレクトロマイグレーション / 絶縁膜 |
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| 研究概要 |
表面保護膜の効果を見積もるために最初に1.6%Mgを含有したAl-Si金属薄膜の表面に通常良く用いられるSiN、又は表面を大気に晒して強制的に酸化膜(MgOやAl_2O_3)を形成した合金膜についてボイドの時間変化と抵抗値変化の関連並びにエレクトロマイグレーション耐性について検討した。その結果、表面保護膜を施したMg含有膜は大きな活性化エネルギーを持つと同時に寿命時間の改善が図れる事が分かった。さらにボイドの増加と深さ方向への広がりが寿命試験中の抵抗値上昇と密接に結び付いている事を確認した。なお、保護膜としえLB膜を堆積した試料については通電試験屮の温度上昇によりLB膜が破壊され、十分な効果が観測出来なかった。
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