| 研究課題/領域番号 |
06650393
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 青山学院大学 |
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研究代表者 |
國岡 昭夫 青山学院大学, 理工学部, 教授 (50082756)
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| 研究分担者 |
中田 時夫 青山学院大学, 理工学部, 主管助手 (90082825)
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| 研究期間 (年度) |
1994
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| 研究課題ステータス |
完了 (1994年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1994年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | セレン化銅インジウム / 薄膜太陽電池 |
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| 研究概要 |
本研究は、禁制帯プロファイル制御によるセレン化銅インジウム・ガリウム(CIGS)薄膜太陽電池の高効率化を目的として行った。具体的には、ガリウム添加量を膜厚方向で傾斜させたグレーデッドバンドギャップCIGS薄膜形成技術の開発と、膜質評価および、これを光吸収層とした太陽電池の試作である。最初の目標であるグレーデッドCIGS薄膜作製に関しては、新たに考案した2段階蒸着法により、大粒系で所望の傾斜組成の膜を得ることができた。また、オージェデプスプロファイル、X線回折図形から生成膜がグレーデッドバンドギャップCIGSであることを確認した。つぎにこれらの膜を光吸収層とし、溶液成長法による硫化カドミウム超薄膜と、マグネトロンスパッタ法により作製したZnO:Al透明導電膜を窓層としたCIGS太陽電池を試作し、変換効率14%を得た。今後さらにCIGS膜中のガリウム量とその分布形状の最適化により変換効率の向上が見込まれる。
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