| 研究概要 |
1.ECR励起オン・オフ変調CHF3エッチングプラズマにおいて,赤外半導体レーザー吸収分光法を用いて,ECRポイントにできる限り近い領域におけるCF,CF_2,CF_3ラジカル密度およびラジカルの生成・消滅過程を計測し,ラジカルの振舞いを明らかにした.
ECR近傍とECR下流におけるラジカル密度と比較した結果,ラジカルの寿命が非常に長いため,ラジカル密度に大きな相違はないことが判明した.
2.オン・オフ放電変調方式により,ECR励起CHF_3エッチングプラズマ中のCF,CF_2,CF_3ラジカルの密度比を制御できることを示し,これらのラジカルとフルオロカーボン膜の堆積速度・組成との関係を高感度フーリエ変換赤外分光装置およびX線光電子分光装置を用いて調べた.その結果,高精度エッチングプロセスにおけるフルオロカーボン膜形成にCF_2ラジカルが寄与していることを明らかにした.
3.赤外半導体レーザー吸収分光法を用いて,ECR励起CF_4,C_3F_6,C_4F_8エッチングプラズマ中のCF,CF_2,CF_3ラジカル密度をはじめて系統的に計測し,ラジカルの振舞いを明らかにした.CF_2ラジカル密度は,用いるガスの組成(C/F)比に比例して増加することを見出した.
さらに,水素添加によるラジカル密度への影響を調べ,高精度エッチング時におけるラジカルの組成を明らかにした.
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