| 研究概要 |
本研究の目的は,変調高周波放電法を用いて液晶ディスプレイ用アモルファスシリコンの高速度・高歩留まり作製の実現に向けての指針を得ることにある.このために,アモルファスシリコン成膜に用いられるシランプラズマ中のダストの蓄積と成長を抑さえるのに有効なプラズマのon,off期間,及びそのon,off期間と他のパラメータとの関係を明かにする必要がある.そこで高周波シランプラズマ中の微粒子成長過程を,レーザ散乱法(LLS),走査型電子顕微鏡(SEM)などを用いて調べた.その結果,微粒子は核発生,急速成長,成長飽和期の3つの過程を経て成長すること,急速成長期以降には,2種類のサイズグループの微粒子が同時に存在していること,急速成長は微粒子の凝集反応によって生じていることが明らかになった.以上の結果から,微粒子の核発生と急速成長が生じる前に放電をoffさせ,その間に放電領域内のガスを完全に交換することにより,微粒子の発生・成長を抑制できることが明らかになった.
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