| 研究概要 |
(1)複素屈折率変化量測定用IIIVヘテロ構造サンプルの作製
現有のMBE装置で、IIIV族ヘテロ構造を作製した。λ_g=1.255μmのInGaAsPを持つサンプルはすでに保有しているので、新たにλ_g=1.3μm,1.55μmのサンプルを作製した。さらに、高効率の注入を行うために,InGaAs/InAlAs系MQWサンプルを作製した。
(2)円形埋め込み構造の実現
注入されたキャリヤを効率良く閉じ込めるために、円形埋め込み構造を実現した。これは、直径10-100μm程度のもので、エッチングで周囲を除去した後、現有のLPE装置を用いてInPで埋め込む。これまでの実験の結果、高効率な埋め込み構造が実現でき、キャリヤの閉じ込め効果も測定によって実証された。
(3)誤差の少ない複数屈折率変化測定方法の開発
光のマイクロブリッジを構成し、両光路の位相差から屈折率変化量を導くが、これまで非対称な光路であったため、波長のゆらぎが屈折率変化量の誤差となって現れていた。1/2波長板を挿入することでこの光路を対称とし、これによって測定誤差を大幅に減少させることができた。
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