| 研究概要 |
1.試料作製
ns^O酸化物半導体単結晶試料として、以下の化合物の合成に成功した。
SnO_2・・・・気相合成法
Ga_2O_3・・・・フローティング・ゾーン法
In_2O_3・・・・フラックス法
ZnGa_2O_4・・・・フラックス法
また、燒結体試料としてCa_2xCd_<2-2X>PbO_4(x=0,0.33,0.5,0.67,1.0)の合成に成功した。
2.キャリアの生成
上記のサンプルに対して、還元雰囲気中での熱処理等によりn型キャリアを導入を試みた。これまでのところ、ZnGa_2O_4,Ca_2PbO_4以外のサンプルで、キャリアの導入に成功した。しかしながら、キャリア濃度等についてはまだ安定して評価されていない。
3.ESR測定
SnO_2,Ga_2O_3,CaCdPbO_4で伝導電子が局在したものと考えられるシグナルを観測した。特にCaCdPbO_4では、室温から、液体He温度間でのシグナルの変化の様子を観測した。しかし、高伝導度サンプルでは4.2Kという温度はまだ高く、さらに低温に下げる必要がある。また、単結晶試料で観測されたシグナルはまだ予備的なものであり、今後シグナルの温度変化、角度変化等について、詳細に検討する必要がある。
|
