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化学蒸着(CVD)法によるシリカ超薄層の精密調整と酸性質

研究課題

研究課題/領域番号 06750812
研究種目

奨励研究(A)

配分区分補助金
研究分野 触媒・化学プロセス
研究機関鳥取大学

研究代表者

片田 直伸  鳥取大学, 工学部, 助手 (00243379)

研究期間 (年度) 1994
研究課題ステータス 完了 (1994年度)
配分額 *注記
900千円 (直接経費: 900千円)
1994年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
キーワードシリカモノレイヤー / 固体酸触媒 / 化学蒸着法 / シロキサン結合 / 表面修飾 / 界面
研究概要

従来から用いてきた方法により、γ-アルミナを担体としてテトラメトキシシランを320℃で蒸着させ、シリカ超薄層を形成した。シリカは積み重なることなくモノレイヤーを形成したが、平面方向には重合してシロキサンネットワークをつくった。つぎに、蒸着温度を200℃以下にすると、分散したシリコン種が得られた。320℃で表面カチオン密度が低いジルコニア・チタニア・酸化スズを担体とした場合も、シリコン密度の低いモノレイヤーが得られ、重合の程度は低かった。シラン化剤として、モノメトキシトリメチルシランをはじめとするメトキシメチルシラン類を用いた場合も、重合度の低いよく分散したシリコン種が得られた。最後に、あらかじめ吸着させたベンズアルデヒドをテンプレートとして利用し、その後シリカの蒸着を行ったところ、やはり高分散したシリコン種が得られた。以上の構造解析はベンズアルデヒド-アンモニア滴定、赤外分光などで行なった。
以上の試料の中で、比較的強い酸性を示したのは最初に述べたネットワークを持つもののみであった。このことから、シリカ薄層の酸点は界面に接する表面水酸基(Al-O-Si-OH)のうち、シロキサンネットワークによって2次元的につながったものであることがわかった。アルミナ上に発達したシロキサンネットワークにおいては、構造的な歪みが発生すると思われる。したがって、酸性が発現するためには、単なる2種の酸化物の界面のみでなく、構造的な歪みが必要と結論される。

報告書

(1件)
  • 1994 実績報告書
  • 研究成果

    (1件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (1件)

  • [文献書誌] Naonobu Katada: "Mechanism of Growth of Silica Monolater and Generation of Acidity by Chemical Vapor Depcsition of Tetramethoxysilane on Alumina" The Journal of Physical Chemistry. 98. 7647-7652 (1994)

    • 関連する報告書
      1994 実績報告書

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公開日: 1994-04-01   更新日: 2016-04-21  

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