| 研究概要 |
本研究は,シランプラズマ中のSi微粒子の凝集過程を明らかにすることを目的として行った.得られた成果は以下の通りである.
1)シランガスプラズマ中の微粒子の成長は核発生・初期成長期,急速成長期,成長飽和期の3段階からなる.
2)急速成長は微粒子同志の凝集により生じており,その成長速度は熱運動による凝集速度に比べて最大2桁程度速い.
3)微粒子のサイズ分散は極めて狭い.
4)放電周波数を増加すると微粒子は早く発生し,その密度は高いが,凝集速度,飽和サイズは減少する.
5)放電電圧,自己バイアス電圧を増加するほど,またγ効果の顕著な材料を高周波電極に用いるほど,凝集速度と飽和サイズが増加する.
6)微粒子が発生する高周波電極シース端領域では,正電荷を持つ微粒子が存在する可能性がある.
7)凝集の結果として微粒子密度がイオン密度よりも十分低くなると,ほとんどの微粒子は負に帯電するため,微粒子の成長が飽和する.
8)得られた結果は,提案した微粒子の帯電凝集モデルによって説明できる.
以上のように,微粒子の凝集過程を制御するための指針を得ることができた.
|
