| 研究課題/領域番号 |
07355001
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| 研究種目 |
総合研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
表面界面物性
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
長谷川 英機 北海道大学, 工学部, 教授 (60001781)
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| 研究分担者 |
川辺 光央 筑波大学, 物質工学系, 教授 (80029446)
榊 裕之 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (90013226)
澤木 宣彦 名古屋大学, 工学部, 教授 (70023330)
川村 清 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (00011619)
菅野 卓雄 東洋大学, 工学部, 教授 (50010707)
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| 研究期間 (年度) |
1995
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| 研究課題ステータス |
完了 (1995年度)
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| 配分額 *注記 |
2,600千円 (直接経費: 2,600千円)
1995年度: 2,600千円 (直接経費: 2,600千円)
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| キーワード | 単電子デバイス / 単電子トランジスタ / クーロンブロッケード / 集積回路 / 量子現象 / ナノ構造 / トンネル現象 |
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| 研究概要 |
本総合研究(B)は、平成8年度発足の重点領域研究「単電子デバイスとその高密度集積化」の基礎的準備を行うものとして採用されたが、重点領域研究の発足が決定されたため、それに向けての準備として、研究テーマの検討と問題点の調査・整理を行った。
活動内容として、幹事会を2回、研究会を2回開催した。幹事会では、総括班の組織と研究の運営形態、計画研究と公募研究との相互関係の検討を行った。研究会では、単電子デバイスおよびその高密度集積化に関する研究について活発な研究調査・研究討論を行った。研究会での主要な点は、以下の通りである。
(1)次の4つの主要研究項目について、各研究者の研究成果や予備調査の結果の報告を受け、十分な討論を行った。
(a)単電子輸送と単電子ナノ構造形成の物性論的基礎
(b)ナノ構造の表面・界面の制御と単電子トンネル障壁の最適化
(c)単電子デバイスの創出とその回路・アーキテクチャの検討
(d)単電子デバイスの高密度集積化のための新技術の開拓
(2)計画研究では、目的が散漫にならないように、単電子デバイスとその高度集積化に目的を限定した具体的な研究計画の設定・発表を求め、相互に討論を行った。
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