| 研究課題/領域番号 |
07454242
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
伊土 政幸 北海道大学, 大学院・理学研究科, 教授 (90111145)
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| 研究分担者 |
小田 研 北海道大学, 大学院・理学研究科, 助教授 (70204211)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
1997年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1996年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
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| キーワード | 銅酸化物高温超伝導体 / 構造相転移 / ストライプ相関 / 圧力効果 / ストライプ秩序 / 超伝導 |
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| 研究概要 |
La_<2-X>M_XCuO_4(M=Ba,Sr)系銅酸化物超伝導体では、x=1/8の近傍で超伝導が著しく抑制されることが知られている。最近、Ndを添加したLa_<2-X>Sr_XCuO_4(La-Nd-Sr)系の中性子散乱実験から、超伝導の抑制原因は電荷(ホール)とスピンのストライプ相関の発達にあることが指摘された。そして、低温(T_1〜60K)で低温正方晶(LTT)あるいはPccn斜方晶への構造相転移が起こると、格子ポテンシャルによってドメインウオール内のホールがピン止めされ、系が絶縁体的となると考えられた。しかし、Ndを添加したLa_<2-X>Ba_XCuO_4(La-Nd-Ba)系では、Ndの添加により構造相転移温度T_1は100K以上に上昇するが、電荷とスピンのストライプ秩序の形成は60Kに止まる。このためストライプ秩序とT_1での構造相転移との関連性の有無が改めて問題となった。そこで、本研究では、両者の関連性を明らかにするため、圧力の印加によりT_1での構造相転移を抑制すると電荷(ホール)とスピンのストライプ秩序にどの様な影響が現れるかを調べた。その結果、
1)La系では結晶構造にかかわらず電荷とスピンのストライプ相関がT^*〜60K付近で発達すること。T^*〜60Kでの結晶構造がLTT(あるいはPccn斜方晶)であれば、結晶ポテンシャルが電荷(ホール)のピン止めを通じてストライプ秩序の安定化をもたらすこと。更に、x=1/8の試料では整合うエネルギーもピン止めに寄与すること等が確認できた。
2)また、Ndを添加した試料では、Ndサイト上の局在磁気モーメントによるランダムポテンシヤルのためストライプ相関の発達が乱されることが分かった。
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