| 研究課題/領域番号 |
07455007
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
竹田 美和 名古屋大学, 工学部, 教授 (20111932)
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| 研究分担者 |
田渕 雅夫 (田淵 雅夫) 名古屋大学, 工学部, 講師 (90222124)
藤原 康文 名古屋大学, 工学部, 助教授 (10181421)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
8,400千円 (直接経費: 8,400千円)
1996年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1995年度: 6,300千円 (直接経費: 6,300千円)
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| キーワード | 異種V族 / 半導体 / 量子構造 / 原子層制御 / 成長 / 評価 / PHOTOREFLECTANCE / GROWTH CONDITIONS |
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| 研究概要 |
本研究における具体的な課題は、大きく分けて、現有の多槽構造OMVPE(有機金属気相エピタキシ-)成長装置により、異なるV族を持つ半導体(具体的にはInPとInAs及びInPとInGaAsの組み合わせ、更に、大きく性質の異なる材料としてInPとErPの組み合わせ)層間の超薄膜複合構造を様々な成長条件下で成長すること、並びに、その超薄膜複合構造を蛍光EXAFS法及びX線CTR散乱法により評価し、構造の1原子層単位での制御を行うことである。加えて、本研究の遂行中、成長過程の簡単な変更により、従来不可能とされていたInP(001)面上へのInAs量子ドットの形成にも成功した。
成長に関して
(a)InP/InGaAs系ヘテロ構造:この研究により、最も急峻なヘテロ界面を得るための条件を見いだすことができた。(b)InP/ErP系ヘテロ構造:半導体/半金属という大きく性質の異なる、新しい機能を持つヘテロ構造の成長に成功した。(c)InAs量子ドット:InAs量子ドットをInP(001)面上に「液滴ヘテロエピタキシ-」により形成した。
ヘテロ構造界面の1原子層単位での評価に関して
(a)蛍光エXAFS法による評価:1原子層レベルの極めて希薄な原子や10^<18>cm^<-3>の不純物レベルの原子に対して十分な感度を持つ測定系を実現した。(b)X線CTR散乱法:層の厚さ、組成、結晶構造などを1原子層レベルで明らかにできることを示して来た。
ヘテロ構造界面の光学的評価に関して
(a)フォトリフレクタンス法による評価:ヘテロ構造のエネルギー構造とともに、界面電界分布の評価に用い、InP/ErP系に対して適用した。
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