| 研究課題/領域番号 |
07455013
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 東洋大学 |
|---|
研究代表者 |
神田 洋三 東洋大学, 工学部, 教授 (70041845)
|
|---|
| 研究分担者 |
鈴木 勝久 東京都立科学技術大学, 教授 (50011557)
和田 昇 東洋大学, 工学部, 教授 (40256772)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1995 – 1996
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
|
| 配分額 *注記 |
6,600千円 (直接経費: 6,600千円)
1996年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
1995年度: 5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
|
|---|
| キーワード | Si / 電気伝導 / 一軸性応力 / ピエゾ・ホール効果 / MOS / ピエゾ抵抗圧力センサ / シミュレーション / シリコン伝導応力効果 / ホール係数応力効果 / モスキャパシタ応力効果 / 谷間散乱応力効果 |
|---|
| 研究概要 |
1.ピエゾ・ホール効果
ホール係数の応力効果をピエゾ・ホール効果と称し、4階のピエゾ・ホールテンソルで表す。Siの様なダイヤモンド構造では、3ケのテンソルの成分、P11、P12、P44で表わされるが、これらをp型Siに関して実験的に求めた。
2.MOSキャパシタのC-V特性
Si、n-MOSおよびp-MOSキャパシタの両者共、拡散層のあるもの、ないものの4種類の試料を用いた。応力印加方向〈100〉および〈110〉、圧縮力と張力、バイアス正、負の32通りのC-V特性応力依存性を測定した。測定結果から、界面準位と酸化膜固定電荷は応力による変化はなく、バンドエッジおよびフェルミ準位が応力により変化し、空乏層の幅等が変化してC-V特性が変化するものと思われる。
3.谷間散乱
散乱の緩和時間の応力依存性について考察した。f散乱についてバンドエッジの変化に伴う状態密度の変化の寄与を見積った。
4.ピエゾ抵抗効果のシミュレーション
特に高不純物濃度に留意し、不純物バンドを考慮してシミュレーションを行った。
5.ピエゾ抵抗型圧力センサの最適設計
非線形性を広義の雑音と見なして設計を行い、S/Nが大きく改良されることがわかった。
|
