| 研究課題/領域番号 |
07455021
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
表面界面物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
箕田 弘喜 (1996) 東京工業大学, 理学部, 助手 (20240757)
八木 克道 (1995) 東京工業大学, 理学部, 教授 (90016072)
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| 研究分担者 |
箕田 弘喜 東京工業大学, 理学部, 助手 (20240757)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
7,600千円 (直接経費: 7,600千円)
1996年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
1995年度: 4,800千円 (直接経費: 4,800千円)
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| キーワード | シリコン表面 / 高指数面 / 通電効果 / 表面顕微鏡法 / 熱平衡形状 / 表面電子顕微鏡 / 近接場 / プローブ / プラズモン / ファイバ / 顕微鏡 |
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| 研究概要 |
シリコンの低指数面の微斜面において800℃以上の高温での通電加熱時に、ステップ-ステップ相互作用等によってステップの配列が変化する過程や、シリコン高指数面の構造についての研究を行った。我々は、今まで、超高真空反射電子顕微鏡法を用いて、様々なシリコン高指数面を観察してきた。これら高指数面が、基盤の加熱のために用いている直流通電加熱の効果により生成する直流通電安定化面なのか、熱的安定面であるのかについては明らかでない。そこで本研究では、これら様々なシリコンの高指数面が直流通電安定化面なのか熱的安定面であるのかを調べることおよび、直流通電のシリコン低指数面のステップ配列に及ぼす影響を詳しく調べることを目的として実験を行った。具体的には、シリコンの(111)表面の微斜面のステップ配列の変化について傍熱加熱が可能な試料ホルダーを用いて超高真空反射電子顕微鏡法を用いて定量的な評価を行った。また、シリコン高指数面である(5 5 12)面、および(hhm)面(m/h=1.4-1.5)の2種類の表面について走査型トンネル顕微鏡を用いて高分解能の像を得て構造モデルを提案した。上記2つの高指数面の構造モデルの特徴としては(5 5 12)面の構造は、STM観察から2×1構造を形成していることがわかり、バルク切断面にダイマーとアドアトムをSTM像の輝点の位置に配した。また、(hhm)面については、(111)7×7構造のサブユニットにも満たない小さな(111)面のテラスが3つ並ぶことにより形成されていると考えられる。その各テラスの幅を変化させることで、構造ユニットの異なる構造(変調構造)を形成するとしてモデルを提案した。また、シリコン(113)面についても透過電子回折パターンの解析を行い、従来提案されている構造モデルについて検討を行った。
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