| 研究課題/領域番号 |
07555008
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 展開研究 |
|---|
| 研究分野 |
表面界面物性
|
|---|
| 研究機関 | 名古屋大学 |
|---|
研究代表者 |
田中 信夫 名古屋大学, 工学研究科, 助教授 (40126876)
|
|---|
| 研究分担者 |
坂 貴 大同持殊鋼(株), 新素材研究所, 主任研究員
木塚 徳志 名古屋大学, 難処理人工物研究センター, 講師 (10234303)
中西 彊 (中西 疆) 名古屋大学, 理学研究科, 教授 (40022735)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1995 – 1997
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
|
| 配分額 *注記 |
5,800千円 (直接経費: 5,800千円)
1997年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
1996年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
1995年度: 3,700千円 (直接経費: 3,700千円)
|
|---|
| キーワード | スピン偏極 / GaAs電子源 / 表面・界面 / 磁性 / 反射電子回折 / スピン偏極電子源 / 磁性体 |
|---|
| 研究概要 |
本研究では、Negative Electron Affinity Activation(NET)という新しいスピン偏極放出原理にもとづくGaAs半導体表面からのスピン偏極電子を用いて、磁性体の表面構造や、巨大磁気抵抗現象で最近注目を集めている非磁性金属/磁性金属人口格子の界面構造を反射高速電子回路(RHEED)法によって解析する装置を試作するための基礎的研究を行った。
(1)平成9年度は最終年度にあたり、実際に偏極電子銃を当学科工作室で試作し組立を行った。
(2)電子銃は10^<-11>Torrに到達できる超高真空仕様とした。放出源の歪みを持ったGaAs単結晶は、大同特殊鋼(株)から共同研究の形で提供をうけ、通常の電子銃のフィラメントの部分に固定した。電子放出には清浄な表面が必要なので超高真空中で通電抵抗加熱により洗浄化を行った。
(3)偏極電子の放出にはセシウムの表面吸着が必要なため、電子源近傍に微少の蒸着源を設置した。
(4)また、励起用のレーザー光はGaAsの正面のRHEEDのスクリーンの中央の小孔から入射するようにした。
(5)この電子銃を既存の超高真空チャンバーにとりつけ、基本動作を確認した。
|
