研究課題/領域番号 |
07555012
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 試験 |
研究分野 |
応用光学・量子光工学
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研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
大津 元一 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (70114858)
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研究分担者 |
横森 清 株式会社リコー, 中央研究所, 研究室長
寺町 康昌 労働省, 職業能力開発大学校・情報工学科, 教授
興梠 元伸 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手 (10251662)
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研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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配分額 *注記 |
11,300千円 (直接経費: 11,300千円)
1996年度: 3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
1995年度: 7,900千円 (直接経費: 7,900千円)
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キーワード | メモリ / 近接場 / プローブ / ファイバ / 顕微鏡 |
研究概要 |
まず記録再生のための高感度プローブを作成した。これは二段階の化学エッチング法によるもので、先鋭化コア根本は先鋭角が小さく、先端では大きくなっている形状をもつ。これによりプローブは記録媒体表面まで容易にちかづき、かつエバネッセント光の発生、検出効率は従来より10倍以上高い。 記録媒体としてはフォトクロミック材料であるジアゾベンゼン誘導体を用い、スライドガラス上にLB法で堆積した。アルゴンレーザの紫外光(波長350nm)の照射によるトランス・シスの構造変化を起こさせ記録した。パワー密度100W/cm^2のとき、記録時間は約8秒であった。この変化に伴う透過率の局所的な変化を近接場光学顕微鏡で測定することにより記録の再生を行った。円形状の記録ビットの直径として50〜100nmを得た。これは従来の光記録の場合の1/10以下であり、良好な結果が得られた。記録再生後、長波長の光照射を照射することにより記録ビットを消去することができ、良好なフォトンモード光記録再生消去を実現した。より高い記録密度を得るために、エバネッセント光の寸法依存局在性を利用することを考え、ラテックス球をガラス基板にアレイ状に固定し、その上にLB膜を堆積する方法を開発した。 情報伝送容量に関する理論的な考察にもとづき、必要なプローブの高効率化を試みた。そのためにファイバプローブのコア先鋭部を軸非対称加工し表面プラズモンモードを励起した。その結果従来の軸対称プローブにくらべ10〜100倍の近接場光発生効率の向上が実現した。これによりデータ伝送レート100Mビット/秒以上の実現の見通しが得られた。
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