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広帯域多波長面発光レーザアレー光源

研究課題

研究課題/領域番号 07555013
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分試験
研究分野 応用光学・量子光工学
研究機関東京工業大学

研究代表者

小山 二三夫  東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (30178397)

研究分担者 粕川 秋彦  古河電工, 研究開発本部, 主任研究員
研究期間 (年度) 1995 – 1996
研究課題ステータス 完了 (1996年度)
配分額 *注記
7,000千円 (直接経費: 7,000千円)
1996年度: 2,900千円 (直接経費: 2,900千円)
1995年度: 4,100千円 (直接経費: 4,100千円)
キーワード光通信 / 半導体レーザ / 光インターコネクト
研究概要

研究成果として、多波長面発光レーザアレー光源に関して、以下の成果を得た。
ア)面発光レーザの波長制御のための結晶成長法について、詳細な条件把握を行い、多波長面発光レーザ実現のためのデータを収集した。波長間隔2nmの3×3の2次元多波長面発光レーザアレーを実現した。
イ)面発光レーザアレーの発振波長の温度無依存化のための新しい構成法を提案した。半導体のマイクロマシ-ニング手法を用いて製作するもので、材料の膨張係数差により等価的な共振器長を変移させ、発振波長が補償される新しい原理に基づく。この方法により、従来構造に比べて、その発振波長の温度係数を1桁以上低減し得ることを示した。
ウ)面発光レーザアレーの発振波長を高精度に合わせる新しい方法を提案した。マイクロマシ-ニングにより、プロセス完了後でも面発光レーザアレーの発振波長を素子ごとに10nm以上の広範囲に渡って制御できることをシュミレーションにより明らかにした。
面発光レーザの低しきい値化、小規模な多波長アレー光源の実現など、当初計画に予定していた項目は概ね達成された。しかし、面発光レーザアレーの実装について問題点が明らかになってきている。今後は、デバイス設計の最適化と波長の零温度係数の可能性についてさらに検討を進めるとともに、アレー素子実装技術を完成し、高性能面発光レーザアレーの実現を目指していく。

報告書

(3件)
  • 1996 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1995 実績報告書
  • 研究成果

    (23件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (23件)

  • [文献書誌] F.Koyama 他: "Wavelength Stabilization and trimming technologies for vertical-cavity surface emitting laser arrays" OSA Spring Meeting on Quantum Optoelectronics. ThE. 7. 90-93 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Mukaihara 他: "Fabrication processes for low thresholod InGaAs vertical-cavity surface-emitting lasers" Physica B. 227. 400-403 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Takahashi 他: "Growth and characterization of vertical-cavity surface-emitting lasers grown on (311)A-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy" Jpn. J. Appl. Phys.35. 6102-6107 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Hatori 他: "Design and fabrication of InGaAs/GaAs quantum wires for vertical-cavity surface-emitting lasers" Jpn. J. Appl. phys. 35. 1777-1778 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Takahashi 他: "AnInGaAS/GaAS Vertical Cavity Suface Emitting Laser Grown on GaAs (311)A Substrate Having Low Threshold and Stable Polarization" IEEE Photon. Teach. Lett.8. 737-739 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Hatori 他: "Characterization of Residual Stress in Active Region due to AlAs Native Oxide of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers" Jpn. J. Appl. Phys.12A. 6108-6109 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Fumio Koyama 他: "Low threshold multi-wavelength VCSEL arrays fabricated by nonplanar MOCVD" Proc. of SPIE'95. 2399. 629-635 (1995)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Yukio Hayashi 他: "Record low-threshold index-guided InGaAs/GaAlAs vertical-cavity suface-emitting laser with a native oxide confinement structure" Electronics Letters. 31. 560-562 (1995)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] F.Koyama et.al.: "Low threshold multi-wavelength VCSEL arrays fabricated by nonplanar MOCVD" Proc.of SPIE'95. vol.2399. 629-635 (1995)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Hayashi et.al.: "Lasing characteristics of low-threshold oxide confinement InGaAs-GaAlAs vertical-cavity surface-emitting lasers" IEEE Photon.Technol.Lett.Vol.7. 1234-1236 (1995)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Mukaihara et.al.: "Fabrication processes for low threshold InGaAs vertical-cavity surface-emitting lasers" Physica B. no.227. 400-403 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Takahashi et.al.: "Growth and characterization of vertical-cavity surface-emitting lasers grown on (311) A-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.vol.35. 6102-6107 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Hatori et al.: "Design and fabrication of InGaAs/GaAs quantum wires for vertical-cavity surface-emitting lasers" Jpn.J.Appl.Phys.vol.35. 1777-1778 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Takahashi et al.: "An InGaAS/GaAs vertical cavity surface emitting laser grown on GaAs (311) A substrate having low threshold and stable polarization" IEEE Photon.Tech.Lett.vol.8. 737-739 (1996)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Hatori: "Caracterization of residual stress in active region due to AlAs Native oxide of vertical-cavity surface-emitting lasers" Jpn.J.Appl.Phys.vol.35. 6108-6109 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1996 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] F.Koymama他: "Wavelength Stabilization and trimming technologies for vertical-cavity surface emitting laser arrays" OSASpring Meeting on Quantum Optoelectronics. (発表予定). (1997)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] T.Mukaihara他: "Fabrication processes for low thresholod InGaAs vertical-cavity surface-emitting lasers" Physica B. 227. 400-403 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] N.Hatori他: "Design and fabrication of InGaAs/GaAs quantum wires for vertical-cavity surface-emitting lasers" Jpn.J.Appl.Phys. 53. 1778-1779 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] Fumio Koyama 他: "Low threshold multi‐wavelength VCSEL arrays fabricated by nonplanar MOCVD" Proc. of SPIE'95. 2399. 629-635 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] Toshikazu Mukaihara 他: "Low‐threshold mesa etched vertical‐cavity InGaAs/GaAs surface‐emitting lasers grown by MOCVD" Electronics Letters. 31. 647-648 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] Toshikazu Mukaihara 他: "Polarization control of vertical‐cavity surface‐emitting lasers by using a birefringent metal/dielectric polarizer loaded on top distributed Bragg reflector" IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics. 1. 667-673 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] Yukio Hayashi 他: "Lasing characteristics of low‐threshold oxide confinement InGaAs‐GaAlAs vertical‐cavity surface‐emitting lasers" IEEE Photon. Technology Letters. 7. 1234-1236 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書
  • [文献書誌] Yukio Hayashi 他: "Record low‐threshold index‐guided InGaAlAs vertical‐cavity surface‐emitting laser with a native oxide confinement structure" Electronics Letters. 31. 560-562 (1995)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書

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公開日: 1995-04-01   更新日: 2016-04-21  

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