| 研究課題/領域番号 |
07555099
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
佐藤 勝昭 東京農工大学, 工学部, 教授 (50170733)
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| 研究分担者 |
中島 邦雄 セイコーインスツルメンツ(株), 研究員
石橋 隆幸 東京農工大学, 工学部, 助手 (20272635)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
16,400千円 (直接経費: 16,400千円)
1997年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
1996年度: 4,100千円 (直接経費: 4,100千円)
1995年度: 11,600千円 (直接経費: 11,600千円)
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| キーワード | 近接場顕微鏡 / 磁気光学効果 / 光弾性変調器 / 偏光伝達特性 / 磁性ガ-ネットMOディスク / プラチナコバルトMOディスク / 集束イオンビーム / コバルト微細磁性パターン / 近視場顕微鏡 / 偏光変調法 / ファイバープローブ / プラチナコバルト人工格子 / 光磁気記録 / 微細磁性パターン / エバネセント光 / 光ファイバプローブ / 磁性ガ-ネット / 近視野光学顕微鏡 / 原子間力顕微鏡 / 微細構造磁性体 / 磁性体 / 半導体ヘテロ構造 |
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| 研究概要 |
本報告書の章立ては下記の通りである。
第1章 序論
第2章 近接場光学概説
第3章 開発した近視野磁気光学顕微鏡装置
第4章 光ファイバープローブの評価
第5章 透過型SNOMを用いた磁気光学像の観察
第6章 Co薄膜微細パターンの作製とSNOMによる観察
この報告書では、はじめにエバネセント光を用いた近接場顕微鏡の原理および他機関で行われている関連する研究について概説する。次いで、試作した装置の各部の詳細について述べる。特に、光ファイバープローブの偏光特性の測定結果を報告する。次に、本研究で開発した装置を用いた微小領域磁性の観測結果について報告する。観察対象としては、NHK放送技術研究所で作製された磁性ガ-ネットMOディスクの記録パターン、日立製作所(株)中央研究所で作製されたプラチナコバルトMOディスクに日立マクセル(株)において光磁気記録されたパターン、および、東京濃工大学ベンチャービジネスラボラトリ-において集束イオンビーム法を用いて製作した磁性体微細構造を使用した。
磁性ガ-ネットMOディスクについては光強度変調(LIM)方式で記録された円形のビットを明瞭に観測することができた。一方、プラチナコバルトMOディスクについては、磁界変調(MFM)方式で記録された矢羽型の記録ビットを明瞭に観察することに成功した。プラチナコバルトのファラデー回転は非常に小さいので、PEMを用いて高感度化を図った。
磁性体微細パターンについては、AFMによるトポ像と磁気光学像とが一致し、磁気光学SNOM用の標準パターンとして用い得ることがわかった。磁気光学像の分解能は使用したレーザ波長の約1/5の100nmであった。
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