| 研究課題/領域番号 |
07555189
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 試験 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 宮城工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
松浦 真 宮城工業高等専門学校, 総合科学系理数科, 教授 (40042262)
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| 研究分担者 |
野本 俊夫 宮城工業高等専門学校, 総合科学系理数科, 助教授 (50099769)
鈴木 勝彦 宮城工業高等専門学校, 総合科学系理数科, 助教授 (80187715)
百瀬 丘 宮城工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (90006271)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
4,600千円 (直接経費: 4,600千円)
1996年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
1995年度: 4,000千円 (直接経費: 4,000千円)
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| キーワード | HDDR / 水素化 / 磁気異方性 / Nd_2Fe_<14>B / 蛍光ZAFS / 微量添加元素 / 局所構造 / 蛍光XAFS / マイクロアロイング / 結晶制御 / スプリング磁石 / 液体急冷 / XAFS |
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| 研究概要 |
本研究の目的は交換スプリング磁石の結晶粒微細化のために添加される微量元素の役割を明らかにして,高性能強磁性体の開発指針を得ることである.今回の研究に於いては特にNd_2Fe_<14>B系磁石(Nd_<13.6>Fe_<68.2>Co_<10.8>Ga_<1.0>Zr_<0.12>B_<6.9>)のHDDR処理におけるGa(1at%)とZr(0.1at%)添加の役割を明らかにすることを目的とした.本合金系においてGaとZrの添加は水素化により分解したNd2Fe14Bが脱水素により再び再結合する際にを水素化前の結晶方位を記憶して方位を揃え磁気異方性を高める効果を持つ.本研究では放射光を用いた蛍光XAFS法にて水素前と水素化後とのGaとZrの原子位置の変化を調べた.
その結果Gaは水素化前はNd_2Fe_<14>B中に含まれること,水素化後はα-Fe中に存在することが明らかとなった.またZrは水素化により選択的に水素と結合し水素化物を形成することが明らかとなった.
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